新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展.pdfVIP

《铝加工 》　　　　　　　　　　　　　2007年第 6期总第 178期 　　　　　　　　　　　　学术综论 新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展 徐高磊 , 李明茂 (江西理工大学 江西 赣州 34 1000) 摘要 : 微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求 。具有低膨胀系数 、轻质化 、较高导热率的新 型 A l - Si复合材料受到了广泛的重视 。文章详细介绍了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法以及研 究现状 , 指出了高硅铝合金电子封装材料的发展方向。 关键词 : A l - Si; 合金 ; 复合材料 ; 电子封装 ; 热导率 ; 热膨胀系数 中图分类号 : TG146, TG13　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 1005 - 4898 (2007) 06 - 00 10 - 04 　　自 1958 年世界上第一块集成电路问世 以来 , 表 1　常用电子封装材料及主要性能指标 [ 3 ] ( ) 微电子技术的核心及代表 ———集成电路 IC 技术 ρ CTE TE 材料 - 3 - 6 - 1 - 1 经历了飞速的发展 。在微电子集成电路以及大功率 / g ·m / 10 ·K /W (m ﹒K) 整流器件中 , 因材料之间热膨胀系数的不匹配而引 Si 2 3 4 1 150 起的热应力以及散热性能不佳而导致的热疲劳成为 GaA s 53 58 39 微电子电路和器件的主要失效形式 。30%左右的芯 B eO 2 9 67 - 8 250 片计算能力受到封装材料的限制 , 解决该问题的重 要手段就是进行合理的封装 。此时封装对系统性能 A IN 326 35 70 ～260 的影响已经变得与芯片同样的重要 [ 1 ] 。 Mo 102 50 140 理想的电子封装材料必须满足以下几个基本的 W 193 4 5 174 [ 2 ] ( ) 要求 : ①热膨胀系数 CTE 小 , ②高的导热率 Invar 81 19 13 ( TE) , ③轻量化 , ④其他的封装工艺性能 。此外 封装材料还应该具备合理的刚度 , 易加工 , 易电 Kovar 83 59 16 镀 , 易焊接等特性 。材料工作者对此进行了大量研 W 90Cu 10 170 65 160 ～10 究 , 并取得一定成果 。 Mo90Cu10 10