3第三章热平衡态下半导体载流子的统计分布08272.ppt

第三章习题 4. 本征激发区 T↑，EF↑ 3. 过渡区 po=NA，no=ni2/NA 2. 饱和电离区 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 注意： N型：no=ND—NA 或 no=ND P型：po=NA—ND 或 po=NA 三、工作温区（强电离区）的确定 1.??已知工作温度(Tmin—Tmax)确定掺杂范围(ND)min—(ND)max ?由Tmax确定(ND)min ● 根据Tmax，由lnni ~1/T曲线查出 Tmax对应的ni； ● 根据ni的公式计算出Tmax所对应的ni； 要达到全电离，要求ED＞＞EF 由Tmin确定(ND)max 在强电离区： 一般：D－= 0.1，达到全电离。 室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED=0.044ev (ND)max=3×1017/cm3 (ND)min=10ni(500K) 查表得：T=500K时，ni=5×1014/cm3 (ND)min=5×1015/cm3 例：计算工作温度在室温到 500K 的掺 P 的 Si 半导体的施主浓度范围。 工作温区=强电离区 Tmin=300K，Tmax=500K 2. 已知杂质范围确定工作温区 (ND)min→Tmax (ND)max→Tmin §3.5 简并半导体 一、简并半导体的载流子浓度 1. EF 位于导带中 其中： ● EF－EA＞＞kT ● EA－EF＞＞kT pA→0，pA－ →NA，受主几乎全电离 ● EF=EA，取gA＝4 pA→NA，pA－ →0，受主几乎都未电离 EF 高时，受主全电离；EF 低时，受主未电离； 施主相反，EF 高时，施主未电离；EF 低时，施主全电离。 EF →杂质的电离 →导带电子或价带空穴 内在联系 二、杂质半导体载流子浓度和费米能级 带电粒子有： 电子、空穴、电离的施主和电离的受主 电中性条件： no + pA－ = po + nD+ 对 n 型半导体 no = nD+ + p0 对gD取2，有 而本征激发更小，所以空穴浓度po? 0 可忽略。 电中性条件可简化为： no = nD+ 1. 低温弱电离区 温度很低，大部分施主杂质能级仍被电子占据，只有少量施主杂质发生电离 施主部分电离，EF 在ED 附近， EF＞＞EA，受主全电离， pA－ = NA ∵ nD+=ND－nD ∴no= nD+ － pA－ ＝ND－nD－NA 将 nD 代入，并移项后，得： 令 两边同乘： no＜＜NC，kT ln（no/NC）＜0 ? EF＜EC 费米能级 NA=0 ●no，EF ∵温度很低， 很小 ● n0 ～ T 的关系 对 no 的表达式取对数： lnno≈ 常数 －△ED/(2kT) 1/T lnn0T-3/4 -△ED/(2k) ● EF ～ T 的关系 T→0K时，NC→0， 但： 费米能级位于导带底 和施主能级的中线处 说明 EF 上升很快 T↑，NC↑，dEF/dT↓，说明 EF 随 T 的升高而增大的速度变小了。 但： 当T↑↑，达到 Tmax时： EF 达到最大值： 当T ＞Tmax 后， 当T=T1 时： 当ND↑时，EF ～ T的变化规律不变， 但Tmax↑，EFmax ↑ 中间电离区 T E EC ED EF NC = 0.11 ND 低温弱电离区 EF 与 T 的关系 2. 饱和电离区 —杂质全部电离，本征激发仍很小 同时含有ND和NA，且ND＞NA 电中性条件为： ∵ (EF)本征≈Ei, ∴ 又∵ ni ＜＜ND－NA, ∴EF＞Ei T↑，ni↑，EF↓ NDni ND↑，EF↑ NA=0 ∴EF＞Ei T↑，ni↑，EF↓ 饱和区：载流子浓度 n0 保持 等于杂质浓度的这一温度范 围叫?。 3. 过渡区 （半导体处于饱和区和完全本征激发之间） 同时含有ND、NA，且ND＞NA 电中性条件： NA=0 当ND＞＞ni时: 靠近饱和区一边 当ND＜＜ni时: 靠近本征区一边 4. 本征激发区 （高温） n0 ?? ND, p0 ?? NA n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 ni ND 0 ni T n n 型硅中电子浓度与温度关系 n 200 400 600 P型半导体的载流子浓度和费米能级 1. 低温弱电离区 EF 的意义: EF 的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。 EF 越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据。 §3.2.2 玻尔兹曼分布函数 所以，导带