新型阻变材料制备工艺及其阻变机理的研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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新型阻变材料制备工艺及其阻变机理的研究.pdf

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指导小组成员名单 : 吴晓京教授张昕副教授 III 目录 @ 录  IV 艘  1 A b stra ct 2 第一章弓I言  4 1.1 阻变存储器简介  4 1.2 阻变存储器件制备工艺  6 1.2.1 等离子体浸没注入技术  7 1.2.2 等离子体浸没注入技术设备体系  9 1.2.3 磁控溅射技术  12 1.2.4 直流磁控溅射装置系统与参数范围  14 1.3 阻变存储器工作的机理  14 1.3.1 空间电荷限制电流效应（SC L C 理论） 16 1.3.2 导电细丝理论 F（ilam ent模型） 17 1.3.3 场助热电离效应 P（-F 效应） 18 1.4 本论文的主要工作  19 第二章 P III制备氮化铜阻变材料  20 2.1 氮化铜材料属性及研究现状  20 2.2 氮化铜薄膜的制备与表征  2 1 2.2.1 等离子浸没注入系统 P（III)  2 1 2.2.2X 射线光电子能谱 X（P S )  23 2.2.3二次离子质谱（SIM S )  25 2.2.4半导体分析仪 K（eithley 4200