302河北工业大学材料学院信息功能材料研究所赵龙.docVIP

热屏对Ф200mmCZSi热系统的温场的影响 赵龙1，赵秀玲1，任丙彦1， 王会贤2，张学强2，曹中谦2，朱惠民3，傅洪波3 （1.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所 天津 300130， 2.河北宁晋晶龙半导体厂 河北 055550，3.云南半导体器件厂 昆明 650033） 摘要：温场对晶体生长十分重要。本文测量了采用不同热屏热场的熔硅纵向温度梯度，发现加强复合式热屏使熔体纵向温度梯度增加，能有效的提高单晶的生长速率和晶体内在质量。 关键词：热屏 CZSi 温场 温度梯度 0.引言 太阳电池硅单晶，目前正由直径φ6″（125×125mm方片）向φ8″（150×150mm方片）过渡。大直径生长必须大投料，φ6″过渡到φ8″，投料量由每炉60kg增加到150kg。随着晶体直径加大,投料量增加,熔体存在着强烈热对流[1],这将导致硅单晶生长时氧含量增大,并引起熔体的温度振荡,干扰晶体生长界面的稳定性,严重影响晶体完整性、均匀性。为了解决这一问题,人们在生长大直径硅单晶时,采取了磁场拉晶的办法,得到了氧含量较低的大直径硅单晶[2]。但是这样成本太高，不适用于太阳能硅单晶。而改造普通单晶炉的热场为复合式热场是降低氧含量的一个有效途径[3]。 温场是指热系统中的温度分布，对晶体的生长及其重要。温场分为静态温场和动态温场。不进行晶体生长时候的温场称为静态温场，决定于加热器和保温系统的形状和尺寸。进行晶体生长时候的温场称之为动态温场。结晶过程中有结晶潜热释放，拉速越快，结晶速率越高，释放的潜热越多。晶体直径、长度和坩埚位置的变化以及熔体的流动对温场均产生较大的影响。由这方面的因素改变了静态温场，因此要经过拉晶工艺的动态跟随试验对静态温场加以修正，才能使得动态温场满足晶体生长的要求。 为了对新型复合式热系统的温场有更加深入的了解，本文对采用不同热屏的熔体进行了静态温场测试，测量了熔体的纵向温度梯度，研究了热屏对温场的影响。 1.实验 实验采用双铂铑热电偶（B型）进行温度的测定，在500－1800℃范围内准确度为±0.5%。温度显示用XMTB电子式温度指示调节仪，在23℃的室温对温度显示仪器进行校准。测试的时候热电偶是连接在籽晶轴上，从熔体表面至底部依次测量8点，每点间距为总距离的十分之一，分别测量熔体中心处的纵向温度分布和距中心100mm处的的温度分布。测试装置示意图如图1所示。 本实验对不同的热系统熔体进行了静态温场的测试。具体如下： 1）双加热器，单一式热屏 2）双加热器，复合式热屏 3）双加热器，加强复合式热屏 2.结果和讨论 为满足相变驱动力，避免新核形成，保证晶体的完整性和均匀性，对热系统温场的基本要求是[4]： （1）固液界面附近的熔体应具有一定的过冷度，而界面附近以外的熔体因处于距加热器中心较近的位置，故一般高于熔点。 （2）在熔体中，径向温度梯度应适当地小，纵向温度梯度适当地增大，以利于结晶过程的顺利进行。在晶体中，纵向温度梯度应适当的大，结晶潜热散发中的热传导有利于进行。温场的径向和纵向温度分布示意图大致如下： 图2 熔体温场的径向和纵向温度分布示意图 Fig.2 The Temperature Distribution of the melt 固液界面温度大体为材料凝固点的等温面故固液界面的宏观形状是温场的重要表现。一般CZSi生长时熔体的径向温度梯度大约为10Co，纵向温度梯度大约为20Co。 实验测试结果如下图2和图3所示。以下结果是开始拉晶之前所测得的熔体温度。图 3和图4中的三条温度曲线从上而下分别代表着单层热屏，双层热屏，加强型双层热屏三种情况的温场分布。 从图中可以看到，采用加强复合式热屏系统比其他热系统，熔体纵向温度梯度增加了。加强型热屏减弱了加热器对晶体的热辐射，同时也减弱了对固液界面热辐射力度，从一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度。采用热屏后，加强了氩气流对固液界面的吹拂，增强了氩气流携带结晶潜热的作用；同时由于加热器对固液界面的热辐射被削弱了，晶体生长界面变得比较平坦，有利于单晶生长。 晶体结晶过程有结晶潜热的释放，增大熔硅的纵向温度梯度，能促进结晶潜热的释放，提高结晶速率，进而提高拉晶速率。 3.结论 温场对晶体生长极其重要，温度梯度对生长界面形状有很大影响。在Ф200mmCZSi热系统中，热屏对熔体温场起着重要作用；在热屏改善中的渐进过程中，熔体纵向温度梯度有适当的增大，生长界面变平坦，拉晶速率和单晶质量有所提高。 参考文献 [1]X.Geng X.B.Wu Z.Y.Guo,Numerical simulation of combined flow in Czochralski cryst