热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射性质研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Eleetr．Mierot,e．Soe ZS(增刊)：40—412006年 热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射陛质研究 余雯1，刘日利1，潘春旭1’2 (武汉大学1．物理科学与技术学院．2．声先材料与器件教育部重点实验莹．湖北武汉430072) ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下 带隙宽3．37eV，激子结合能高达60meV，在短波激光 器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具 有广泛的应用前景…。一维ZnO纳米材料具有高 的长径比、良好的物理化学等性能，其合成备受关 注。目前，制备一维Z．O纳米材料的方法很多，大 多基于v—L—s或v—s机制。本工作在较低温度 下利用热氧化踟纳米晶的方法制备出了一维的 ZnO纳米针，并对其显微结构特征、生长机理和场发 射性质进行了研究。 图【纳米针的SEM像。Bar=1m 一维ZnO纳米针的制备过程为：首先利用脉冲 电沉积技术在“基板获得一定厚度的zn纳米晶， 晶粒尺寸在30nto左右，然后在管式炉中400℃加 热，