离子注入制备Si基稀磁半导体研究.pdfVIP

2008全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集 离子注入制备Si基稀磁半导体研究 C．x．Liu3 欧阳中亮1，郭立平”，黎明1，肿舟1，施训1，艾急伟’，彭挺‘，付德君‘，杜红林2，陈海英0 ofMathematics，AlabamaAM Meridian 35762，USA University，4900Street，Normal，AL 6 X101MIl+／cm2注入剂量范围内都观测到 摘要：J胃200Kv‰离子注入p型si(001)单晶：Eixl0“～5 磁滞回线，表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加，饱和磁化强度有增强的趋势，退火后磁化强 度较退火前有较大幅度的减小．增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐 减小。对于高注入剂