超净高纯试剂现状应用制备及配套技术.pdfVIP

超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术 1 微电子技术的发展 微电子技术主要是指用于半导体器件和集成电路(IC)微细加工制作的一系列蚀刻和处理技 术,其中集成电路,特别是大规模及超大规模集成电路的微细加工技术又是微电子技术的核心, 是电子信息产业最关键、最为重要的基础。微电子技术发展的主要途径之一是通过不断缩小 器件的特征尺寸,增加芯片的面积, 以提高集成度和速度。自20 世纪70 年代后期至今,集成电 路芯片的发展基本上遵循GordonEM 预言的摩尔定律,即每隔1.5 年集成度增加 1 倍,芯片的 特征尺寸每3 年缩小2 倍,芯片面积增加约1.5 倍,芯片中晶体管数增加约4 倍,也就是说大体 上每3 年就有一代新的IC 产品问世。 在国际上,1958 年美国首先研制成功集成电路开始,尤其是20 世纪70 年代以来,集成电路微细 加工技术进入快速发展的时期,这期间相继推出了4 、16、256K;1 、4 、16、256M;1 、1.3、1.4G 的动态存贮器。进入20 世纪90 年代后期,IC 的发展更迅速,竞争更激烈。美国的Intel 公司、 AMD 公司和日本的NEC 公司这3 个IC 生产厂家的竞争尤为激烈,1999 年Intel 公司、AMD 公司均实现了0.25Lm 技术的生产化,紧接着Intel 公司在1999 年底又实现了0.18Lm 技术的 生产化,AMD 公司也在紧追不舍。到2001 年上半年,Intel 公司实现了0.13Lm 技术的生产化, 而到2001 年的2 季度末, 日本的NEC 公司宣布突破了0.1Lm 工艺技术的难关,率先成功研发 出0.095Lm 的半导体工艺技术,现已开始接受全球各地厂商的订货,并将于2001 年的11 月开 始批量生产。因此,专家们认为世界半导体工艺技术的发展将会加速,半导体制造厂商将会以 更先进的技术加快升级换代以适应新的市场要求。 我国集成电路的研制开发始于1965 年,与日本同时起步, 比韩国早10 年。现在我国已经有了 从双极(5Lm)到 CMOS、从2~3Lm 到 0.8~1.2Lm 及 0.35~0.5Lm 工艺技术,并形成了规模生 产,0.25Lm 工艺技术生产线目前正在北京和上海同时建设,预计到2002 年即可投产。“十五” 期间及到2010 年北京建设的北方微电子基地将建成20 条0.35、0.25 和0.18Lm 工艺技术生 产线,上海在浦东将建成大约40 条0.35、0.25 及0.18Lm 工艺技术生产线,深圳也将建设多条 超超大规模集成电路生产线。随着芯片制造技术向亚微米发展, 出现了产品“多代同堂” 的局 面, 以满足不同用途的需要。可说在生产技术方面我国几乎已经与国际先进水平同步,但在研 发方面,我国与国际先进水平还有较大的差距。 2 超净高纯试剂的现状 超净高纯试剂( 国际上称为ProcessChemi-cals)是超大规模集成电路制作过程中的关键性基础 化工材料之一,主要用于芯片的清洗和腐蚀,它的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能 及可靠性都有着十分重要的影响。超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有 效期短 和强腐蚀性等特点。 随着IC 存储容量的逐渐增大,存储器电池的蓄电量需要尽可能的增大,因此氧化膜变得更薄, 而超净高纯试剂中的碱金属杂质(Na、Ca 等)会溶进氧化膜中,从而导致耐绝缘电压下降;若重 金属杂质(Cu、Fe 、Cr、Ag 等) 附着在硅晶片的表面上,会使P-N 结耐电压降低。杂质分子或 离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。因此,随着微电子技术的飞速发展, 对超净高纯试剂的要求也越来越高,不同级别超净高纯剂中的金属杂质和颗粒的含量要求各 不相同,而配套于不同线宽的IC 工艺技术。超净高纯试与IC 发展的关系见表1。 国外20 世纪 60 年代便开始生产电子工业用试剂,并为微细加工技术的发展而不断开发新的 产品。到目前为止,在国际上以德国E.Merck 公司的产量及所占市场份额为最大,其次为美国 Ashland 、Olin 公司及日本的关东株式会社,另外还有美国的MallinckradtBaker 公司、英国的 B.D.H. 公司、前全苏化学试剂和高纯物质研究所、三菱瓦斯化学、伊期曼化学公司、 AlliedSig-nal 公司、Chemtech 公司、PVS 化学品公司、日本化学工业公司及德山公司等。近 年来,新加坡、台湾地区也相继建立了5000~10000t 级的超净高纯试剂生产基地。 由于世界超净高纯试剂市场的不断扩大,从事超净高纯试剂研究与生产的厂家及机构也在增 多,生