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MBE2013 专题邀请报告 IS3 GaAs 基1.3 微米高性能 InAs量子点激光器研究 杨涛、季海铭、杨晓光、罗帅、王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京912 信箱，100083 tyang@semi.ac.cn 新一代高速光通信网络的城/局域网迫切需要低成本、低功耗、高性能长波长半导体激 光发射光源。可是，目前市场上主流的光通信用长波长半导体激光光源，例如 InP 基 1.3 微米量子阱激光器，很难满足这些要求。特别是，该激光器有一致命缺点：输出随温度明显 变化，为了保持激光器输出随温度变化稳定，需要外加致冷和控制装置，这势必会导致器件 制作成本以及功耗显著增加，同时也不利于激光器与其他光子器件集成。 GaAs 基1.3 微米InAs 量子点激光器作为替代上述量子阱激光器的有力候选者之一，已 吸引了科学家们极大的兴趣，是目前国际上研究的热点。由于半导体量子点三维限制载流子 运动的能力，半导体量子点激光器比传统的量子阱激光器具有低的阈值电流密度、高的微分 增益、小的频率啁啾效应和好的温度稳定性等优越性能。此外，廉价大尺寸GaAs 衬底技术 能使器件制作成本大大降低。因此，GaAs 基量子点激光器非常适合作为下一代高速光网络 发展所需的低成本、低功耗、高速直接调制的光源。 在这篇论文中，我们将在介绍本领域发展现状基础上报道我们朝向实现这一高性能长波 长 GaAs 基量子点器件所开展的研究工作及取得的一系列成果，包括高性能 1.3 微米 InAs/GaAs 自组织量子点材料MBE 生长、器件制备以及它们性能研究。特别是，我们建立了 实现高性能1.3微米量子点器件的材料生长和器件制备技术，实现了超低阈值电流密度1.3 2 微米量子点激光器室温连续激射 （图1 和2），对应的每层阈值电流密度仅为27.8 A/cm ； 证明了高特征温度1.3 微米量子点激光器 （图3 和4），其特征温度高达500 K 以上；实现 了高速直接调制1.3微米量子点激光器 （图5），其室温调制速率最高可达12 Gb/s，并且经 过25 km 光纤传输后仍能维持10 Gb/s 眼图的张开。这些材料和器件的性能指标均达到或接 近国际最好水平。 上述工作得到了中国科学院 “百人计划”，国家“863”计划（2006AA03Z401）和国家 自然科学基金的支持。 34 MBE2013 专题邀请报告 IS3 图1：量子点激光器P-I 和V-I 曲线。 图2 ：室温连续激射激光光谱。 图3 ：不同温度的P-I 曲线。 图4 ：阈值电流和斜率效率随温度变化。 图5：室温不同调制频率大信号响应眼图。 35