PECVD制备a-C%3aH%3aN薄膜的微观结构研究.pdfVIP

Mierosc．Soc 电子显微学报JChin．Electr 23(4)：431—4312004年 43l PECVD制备a—C：H：N薄膜的微观结构研究 都俊英，徐洮’，李红轩，刘维民，刘惠文 (中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室，甘肃兰州730000) a- carbon 从a．C：H薄膜及a．C：H：N薄膜的IR光谱图中 非晶含氢碳膜(amorphoushydrogenated C：Hfilms)在力学、热学、电学、化学、光学等方面具 有优异的性能，被广泛应用于诸多领域，有巨大的应 1300—1500cm“区域存在明显的吸收峰，前两峰分 用前景。随着a．C：H薄膜制备技术的进一步完善， 别是c—H、C=C键的伸缩振动形成，第三个吸收峰 在此基础上的改性材料又引起了人们的注意。氮掺 杂类金刚石薄膜(a．C：H：N)近年来成为人们研究的成。而a．c：H：N薄膜与a．c：H薄膜相比，在2100— 热点，这主要是源于合成超硬化合物C，N．的理论预 言。研究发现，氮的掺入会使a．C：H薄膜的内应力 别是C兰N、N—H的伸缩振动吸收峰。而且a．c：H：N 降低，附着力增加，抗磨性能有所提高，而其硬度却 薄膜在1300—1500 有所降低。 收峰的强度明显下降，而1500—1800cm。1的峰有所 1实验方法 增加。 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF- a．c：H薄膜及a．c：H：N薄膜纳米硬度分别为 PEcvD)设备制备薄膜。基底材料均为抛光的N．100 度明显降低。这是因为在a-C：H薄膜中掺人氮后， 型单晶硅片。用Shimadzu公司的SPM．9500型原子 N元素取代了a-C：H薄膜中c—H的H而形成 力显微镜(AFM)对a．c：H和a-C：H：N薄膜的表面 形貌进行了分析比较，用丌S165型傅立叶红外光谱CmN、C=N及c；N键，导致了c—H的降低；且掺人 仪(FnR)对两种薄膜进行了红外光谱测试。 的氮元素以N—H、csN键形成相互交叉的网络结 2结果与讨论 构，从而打断了a-C：H薄膜中致密的三维c—c网络 结构，降低了a—c：H薄膜中部分原有的sp3碳键，导 图18和lb分别是a．c：H薄膜及a．c：H：N薄膜 致薄膜硬度的降低。其次，氮掺杂后，一定量的氮元 的AFM表面形貌图。图1a所示，未经掺氮的a．c：H 薄膜的表面十分平整、光滑、致密，没有突出的大颗 素以N2分子的形式存在于膜的表面及内部，促使膜 粒；而氮掺杂后的a．C：H薄膜表面粗糙度增加(图 的表面形成许多空穴，这也是导致薄膜硬度下降的 Ib)，出现了一些向上突出的、类似于岛状的大颗粒， 另一主要原因。 颗粒大小约为几十到几百个纳米，且存在明显的空 参考文献略． 洞。这表明氮掺杂后，薄膜的致密度下降。 2,00×2∞lpm仨M“o，s【帅J。苗耐 200×200【l帅皿h协1 …0,00一 00mmJ 图1 基盒硪目：国家自然科学基金资助项耳(No -遁讯作者