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采用磁控溅射法制备多晶硅薄膜的研究 王狲许家雄姚若河 (华南理工大学物理科学与技术学院广州，510640) 摘要：利用磁控溅射法在普通玻璃衬底上淀积a-Si／AI双层复合薄膜，然后在氩气保护巾退火而制备多晶硅 薄膜：利用XRD、SEM对薄膜进行测试分析。实验结果表明，在铝的诱导下．a-Si簿膜在450℃退火30分钟 即开始晶化，随着退火温度的升高和退火时间的增加，晶化程度加强。 关键词：多晶硅薄膜：金属诱导法：磁控溅射：低温晶化 1 引言 多晶硅薄膜是由许多大小不等、具有不同晶向的小晶粒构成的。多晶硅薄膜是一种新型功 能材料，具有较高的载流子迁移率和稳定的光电性能，现已广泛应用于集成电路、太阳能电池、 液晶显示器、图像感应器等领域¨≈1。与传统的固相晶化法等其它方法相比，金属诱导法制备多 晶硅薄膜可以有效地降低退火温度、缩短退火时间H邛’，从而可以使用廉价的玻璃衬底，降低制 造成本，具有广泛的应用前景。 磁控溅射镀膜具有溅射时基片温升低、溅射速率高两大突出优点。与PECVD方法相比，磁 控溅射法制各的a-Si薄膜更容易控制H含量…。金属诱导法中，使用不含H的纯扩Si薄膜可 以降低成核率，从而增大晶粒尺寸哺1。本次实验采用磁控溅射方法在普通玻璃衬底上先溅射铝 薄膜，再溅射a—Si薄膜，将a—Si／A1双层复合薄膜在氩气保护中进行退火处理，利用XRD、SEM 对薄膜进行测试分析。 2实验 使用JGP一500型高真空多靶磁控溅射仪，在普通玻璃衬底上，采用直流磁控溅射方法先溅 射铝薄膜，本底真空度4．5×10一Pa，氩气流量15．5ml／min，工作气压2．5Pa，溅射电压260V， 溅射电流0．8A．溅射功率208W，溅射时间lO分钟。然后在不破坏真空的条件下，在铝膜上采 溅射电流0．18A，溅射功率90W，溅射时间30分钟。a-Si／A1双层复合薄膜是在同一设备中连 续淀积制备的，可使得金属层与a_Si层之间有一个良好的界面接触。最后将薄膜放入KS-1600 型高温节能管式炉，在氩气保护下进行退火处理。利用XRD对薄膜的微观结构进行测试分析， 利用SEM测试薄膜的表面形貌。 3结果和讨论 3．1X胁分析 图1为a-Si／A1双层复合薄膜经不同退火条件的XRO图谱。未进行退火处理样品的XRD图 谱，在20=38。附近有明显的铝(111)衍射峰，未出现晶态硅的衍射峰，说明磁控溅射制备的硅 的晶化程度加强，同时铝(111)衍射峰基本消失。当退火时间增加为60分钟后，硅(111)衍射峰 强度进一步增强，晶化程度越来越高，同时在20=47。附近出现微弱的硅(220)衍射峰。由图1 可以看出，在a—Si／A1双层薄膜制备条件相同的情况下，较高的退火温度越和较长的退火时间 有利于a-Si薄膜的晶化。 ————上螋卫J，幽f’垫瘟地匪)直坌!j毖·皇塑盛酸亟塑[．§：盥直至生垒生垄生垒金±gt￡窑 翻J 0冲_jU虫善竹F辑品的XRD翻瞄 D㈣of…j㈣diilerenlcondirinTls XRD Fi91 annealing gcherltF公式u=k^邝㈨曲，对目i，出现‘判显品态耻衍射峰的Icj(小“算 利}Dehye 89，^为x射线波长054rim，$为{Ⅱ射蜂半宽高(弧度)，20为行】 品粒尺j，常教K的值取0 9rim嘲jfdJ样品t的品柑尺十为060nre．袭叫 射角。圈l亿)样品(1li)t辅iIil的晶牲』1=}为2Ii 进出…一J的延长订利I}二晶车点的生长。 3 2sell分斩 H2山缝过500C堤虫∞丹钟样一铺的‘，叫旧片薄腰袭血出现硅牲牲，』j】^。约由80r)am 袭。鲥圹‘，-薄媵已晶化为多，韬酢薄膜， 霜2样鼎的sEM盈片 2 FigSEMimage 33晶化机理分析