非致冷In-%2c0.53-Ga-%2c0.47-As%2fInP红外探测器材料与线列器件研究.pdfVIP

第十届全国MOCVD学术会议论文集 03——018 非致冷In¨。Ga㈣，As／InP红外探测器材料与线列器件研究 缪国庆张铁民金亿鑫于淑珍蒋红李志明4孙晓娟宋航 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室 吉林长春 130033) 1、前言 近几年来，红外探测器得到迅速发展。随着需求的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量 轻，又要有高性能价格比，而且使用方便的要求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的动力u。。 In。黜Ga咖As是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、光亮平整的表 面，稳定性好，是一种短波红外探测器材料，因此可以利用In㈨。Ga叫tAs／InP材料体系制备红外探测 器。而且由于外延层与衬底品格匹配，可以利用先进的生长技术获得高质量的In㈨。Ga¨，As／InP材 料体系，它所制备的红外探测器可以在室温工作，可批量生产，具有高可靠。H-：他1。InGaAs红外探测 器主要应用在成像和光谱两方面¨1。本文采用LPMOCVD技术生长了InP／Inos。Ga蝴As／InP器件结构材 料，利用半导体平面工艺制作了InGaAs红外探测器单元和256元线列，并对其器件性能进行测量。 2、实验 材料生长采用我们自行组装的LPMOCVD系统，此系统采用水平石英反应管，气悬浮旋转石墨基 X 座，由高频感应加热。反应室压力为l 104帕，生长温度为630℃，经钯管纯化的氢气为载气。三 甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)作为III族源，10％砷烷(AsH。)和10％磷烷(PH。)作为V族源。 掺硫的InP单晶片作为衬底，晶片表面方向为(100)。平面型红外探测器器件是采用等离子化学气 相沉积技术在顶层沉积一层SiO。膜，用光刻技术刻蚀出一个图形窗口。由Zn扩散形成平面PN结。 再用等离子化学气相沉积技术沉积一层氮硅化合物薄膜作为抗反射层，然后利用光刻技术刻蚀出接 触图形，溅射形成P面和N面的欧姆接触。 3、结果与讨论 s。Gao“，As IXm，而InP作覆盖层或限L．I。IJ层，它能够钝化In¨。Ga¨。As，减少 作为吸收层，它的I吸收波长应到1．7 u 在表面的光生载流子复合，能增加量子效率，缺点是它吸收波长小于0．92m的光，如果InP保持 u u 较薄(小于Im)，在0．8 高质量的材料是决定器件性能指标的关键因素。为此我们详细研究了生长温度、V／III比对InGaAs 外延层的结晶质量、电学性质的影响惦儿…。利用优化的生长条件制备红外探测器器件结构材料。如图 1我们生长的InP／InGaAs／InP红外探测器器件结构材料的横截面扫描电子显微镜的照片，从照片可 以看到InP、InGaAs外延层之问和外延层与InP衬底之问层次清晰，界面平整。利用扫描电子显微 镜能谱分析对InGaAs红外探测器器件结构材料各层厚度进行了测定，见图1中标尺，覆盖层InP厚 u 度为0．9um，吸收层InGaAs厚度为3．1m，符合InOaAs红外探测器器件结构设计要求。 我们对InGaAs红外探测器器件结构材料进行了x射线双晶衍射测量，如图2所示，其晶格失配 为2．19×10～。 175 第1一h：l；全刚MOCVD学术会议论文集 图lInGaAs红外探测器结构材料横截面照片 图2InGaAs红外探测器器件结构材料X射线双 晶衍射图 uIll。 在片予另。边，为l。、宁形状，,o‘Y。I边艮为400 lJm 采用短波红外光谱仪测量相对光谱响应度曲线如图4，响应范围为0．90—1．70um，在1．3 la 相对响应