金属氧合物CO2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用研究.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊 金属氧合物Co：O。在zn0压敏陶瓷中的改性作用研究 韩伟，王建文，孟梅 西安市西无二电子信息集团有限公司，陕西西安710015 摘要：研究了金属氧化物CO。啦压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响。分析了Co：0，含量对 Zn 大，在一定程度上掩盖了znO晶粒本征缺陷对ZnoN瓷电导率的影响，使半导体的电导率获得 可控性。为获得产品优良的重复性和稳定性，以及低成本起到十分重要的作用。 关键词：晶粒生长电性能工频耐受力 1引言 氧化锌压敏电阻器是以氧化锌为主剂，并掺杂其他氧化物的一类复合功能材料，其性能取 决于可靠的掺杂配方和先进的加工技术。已被广泛应用于计算机、家用电器、通信设备、汽 车、电子器件等领域的过电压防护。而在经历了三十多年发展之后，压敏电阻器在全世界的应 用范围几乎涵盖所有电子设备，并形成了一门新的边缘学科。然而，目前我们尚有以下问题需 要解决0： (1)提高通流量= (2)提高电位梯度(即每毫米厚度的压敏电压)。以进一步减小尺寸和降低瓷料成本。 (3)提高工频耐受能力，降低使用故障率。 (4)降低生产成本。 znO压敏陶瓷是典型的由晶粒大小，晶界结构控制其宏观性能的材料，Zn0晶粒大小和晶晁 层数量影响击穿电压的高低：“。而本文所研究的CO，0，含量的降低，可以显著降低成本。 的非线性，加之，烧结过程中缓慢的降温使得co“有充足的时间返回晶粒表面，使晶界处的界面 态密度大大提高。既提高它的非线性，又降低了漏电流”1。引入的co“等在Zn0中形成施主中 心，也使其电导率得以提高。当然，杂质的弓1人量总有一定范围的，超过此范围就会产生相反 的结果，这种现象的出现是由杂质在基质中的固溶极限所引起的，当杂质达到极限浓度，杂质 就会从格点位置进入填隙位置，或偏析出来，形成第二相…。将会影响到zn0压敏电阻的各种 性能，本文就是致力于探讨CO，O，对Zn0压敏电阻电性能的影响规律。 2样品制备及测量 -86- 中国电子学会敏感技术分会第十二届电压敏学术年会论文专刊 本文所采用的基础配方为氧化锌压敏电阻器高压配方。其主要组成见表1，CO：O，的添加量 及试样编号见表2。 表1 基础配方的主要成份(m01％) ● l ZnO Bi203 Sb203 C0203 Cr203 Si02 MnC0， l 19376％。97．06％ 043％～0．76％0．69％～103％ 025％一0．56％036％一0．54％115％一148％ O．25％一0．56％ l 表2 CO：O，的添加量(mol％) I试品组号 S1 S2 S3 S4 S5 S6 l IC。：o，添加量 056％ O50％ 0．44％ 0．37％ O31％ 025％ 注：以下试品组号同此。 排胶和预烧后，在高温下烧结(烧结1193℃，保温2小时)，涂敷银电极，包封。 1／log(V。，v。。)计算得到。 3实验结果及讨论 3．1非线性系数 下表3和图l是非线系数随CO：0。含量变化的情况。可以看出，合适的掺杂量，能够提高材料 的非线性。 表3 l试品组号 S1 S2 S3 S4 S5 S6 I bE线性系数 805 859 824 718