铜的腐蚀与缓蚀的光电化学研究.pdfVIP

铜的腐蚀与缓蚀的光电化学研究 徐群杰“，朱律均舭“，曹为民n 。上海电力学院能源与环境工程学院200090；。上海大学理学院化学系上海200444； 摘要 用光电化学方法研究了铜在不同浓度的NaCI中的腐蚀与缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对铜的缓蚀作用。铜在硼 酸一硼砂缓冲溶液中，表面的Cu20膜为p一型半导体。当铜所在的溶液中存在少量NaCI(小于O．5g／L)时，cu表面Cuz0膜会 受轻微cl一掺杂但不会改变半导体性质；当溶液中存在较多NaCl(0．5-15g／L)时，cu20膜会受C1一较严重的侵蚀，cl一掺杂 使cu20膜部分转型成n一型；当溶液中存在大量NaCl(大于15g／L)时，Cu20膜完全被c1一掺杂而转型成n-型。缓蚀剂聚天冬 氨酸(PAsP)的加入能够对铜起到缓蚀作用：当NaCI浓度为2g／L时，PASP与溶液中的cl一在铜表面竞争吸附，明显抑制了cl一对 Cu20膜的掺杂，Cuz0受到了保护仍为p一型；在NaCI浓度为30 膜仍受C1一掺杂而转型成n_型，但n一型性质变弱。 关键词：铜；光电化学；腐蚀；缓蚀剂；聚天冬氨酸 引言： 铜及铜合金在国民经济的各个领域中应用十分广泛，工业水冷换热设备常常使用铜及铜合金等金属材 料，工业水中常常含有c1一，cl一是一种很强的侵蚀性离子，会对金属造成腐蚀。铜及铜合金材料在NaCI介 质中的腐蚀与防腐蚀研究十分广泛u’21，但是采用光电化学研究铜腐蚀与缓蚀剂机理的报道仍不多见。 铜的耐腐蚀性能与其表面膜的结构性质密切相关，铜在化学反应与电化学反应中表面生成的氧化物、 卤化物以及各种钝化膜通常都具有半导体性质，它们在电极／电解质溶液界面上会产生光电效应，我们可以 通过光电化学方法对其进行研究。光电化学是一种原位(in-situ)研究方法，对于表征半导体膜的光学 和电子性质、分析金属表面层的组成与结构有良好的效果，可以得到一些一般表面分析与一般电化学方法 所不能得到的信息，对金属的腐蚀与缓蚀机理进行研究旧10。。 聚天冬氨酸(PASP)是一种绿色水处理药剂，它不仅制造过程是绿色的，原料天冬氨酸也是可从自然界 提取的，其良好的生物降解性使其特别有价值。 聚天冬氨酸可应用于缓蚀剂、阻垢剂、清洗添加剂与分 散剂等领域u1’忱1。本文采用光电化学方法研究了NaCI对铜的腐蚀与聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用。 1实验 1．1材料与试剂： 制。 1．2实验仪器： 光电化学测试使用PRACM273恒电位仪、PRAC5208EC锁定放大器、1000W氙灯(上海八一电影机械 厂)、WDG一1A强光单色仪(四平市光学仪器厂)、ND-4斩光器(南京大学微弱信号检测技术开发中心)、 LM20A一200 X-Y记录仪(上海大华仪表厂)，单色光波长420rlm，斩光频率39 用了CHl660C电化学工作站(上海辰华仪器公司)。交流阻抗测量使用PARCM398系统。 1．3实验方法： 光电化学与电化学测量在三电极体系中进行：工作电极为环氧树脂固封的纯铜，面积约0．25cmz，电 213 极经3-6。金相砂纸逐级抛光后用去离子水、无水乙醇和去离子水依次冲洗干净；辅助电极和参比电极分别 mol／L的KNOs一3％琼脂的盐桥 为Pt电极和饱和甘汞电极，工作电极和饱和甘汞电极分置两室，两室间用0．1 联接。 基底溶液为硼砂一硼酸缓冲(O．075 mol／LNa28407+0．15 电位为一O．6V向阳极扫描至+O．6V再向阴极扫描至一1．O Hz一0．1 为Cu的钝化电位区间。至本文所示电位均相对于饱和甘汞电极。交流阻抗测量频率范围为10000Hz， 交流激励信号峰值为5mv。 2结果与讨论 2．1硼砂一硼酸缓冲溶液中CI一对铜腐蚀过程的研究 图1为cu在硼砂一硼酸缓冲溶液中，添加了不同浓度NaCI的电流i对电位E图。电位在正扫过程中出现的 NaCl的浓度达到15-30