AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析.pdfVIP

第31卷第6期 压 电 与 声 光 Vo1．31No．6 2009年1271 PIEZOELECTRICS ACOUSTOOPTICS Dee．2009 文章编号 ：1004—2474(2009)06—0833—03 AIN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析 熊 娟，顾豪爽，胡 宽，吴小鹏，吴 雯 (湖北大学 物理学与电子技术学院，湖北 武汉 430062) 摘 要：用 Mason一维等效 电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器 的传输特性 。讨论 了谐振器级联数 对滤波器插入损耗和带外抑制 的影响。以AIN薄膜为压 电材料 ，采用微机 电系统 (MEMS)工艺流程制备 了3级梯 形结构的滤波器，用扫描电镜照片 (SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性，测试结果表明，所制备 的滤波器结构完整 ，图形整齐 ，并得到滤波器 的带宽为 180MHz，带外衰减为一1O．12dB，插入损耗为一5．15dB。 关键词 ：滤波器 ；薄膜体声波谐振器 ；Mason模型；A1N 中图分类号 ：TN405 文献标识码 ：A Study0nBulkAcousticW aveLadderFilterUsingAIN ThinFilm XIoNG Juan，GU Hao-shuang，HU Kuan，WU Xiao-peng，W U W en (SchoolofPhysicsandElectronicTechnology，HubeiUniversity，W uhan430062，China) Abstract：Thetransmissionperformancesoffilm bulkacousticwavefilterwithdifferentstagenumberofladders weresimulatedadoptingonedimensionalMasonmode1．TheeffectofthecascadedresonatorsontheinsertionlOSS andout—of-bandrejectionofthefilterwasdiscussed．Three-ladderfilterwasfabricatedbyMEMStechniquesusing AlN film asthepiezoelectricmateria1．ThestructureandtransmissionperformancewereanalyzedbySEM andnet— workanalyzer．TheresultsindicatedthattheimageoffabricatedfilterwasintactandtheshapeofresonatedareaiS regular．ThebandwidthiS18OMHZ；theout—of-handrejectionandtheinsertionlOSSofiS一10．12dBand一5．15 dB respectively． Keywords：filter；thinfilm bulkacousticwaveresonator；MasonmodeI；A1N 随着现代无线通信技术 的迅速发展，主流通信 特性 。 频段 已日益拥挤 ，人们对高频通信常用 的前置滤波 l 实验 器提出了更高的要求 。目前射频系统中使用的带通 图 1为薄膜 BAw 谐振器的结构。它是制作在 滤波器主要有介质陶瓷滤波器和声表面波(SAw) 硅或砷化镓衬底上 ，由电极一压 电薄膜～电极构成 的 滤波器 。传统的介质陶瓷滤波器具有损耗低 ，大带 宽及较高的功率承受能力等特点，但其体积大 ，难以 三明治夹心结构 。当电信号输入时，压电材料的逆 适应微型化的发展趋势。SAW 滤波器能达到较