ASIC取得的进展.pptVIP

ASIC的功能和设计 4通道two-step前放原理图 瞬态、交流、噪声仿真 幅频响应仿真波形 CMRR、PSRR仿真 性能（负载：2pF） 0.35微米工艺的4通道电压放大器版图 0.35微米工艺的4通道电压放大器版图 * 设计 仿真、 确定MOS管参数 版图设计 验证 DRC/LVS 交付流片 寄生参数提取 随着探测精度要求的提高，探测器单元尺寸不断减小。一种尺寸小、功耗低、集成度高、性能优越的ASIC电子学已经问世了。 实验物理中心开展了ASIC电子学的研究工作。我们设计的第一个0.35um工艺的4通道电压放大器已经送厂流片。 它的设计和制作本身也是高科技技术，必须经过精心考虑、计算，确定与工艺相关的各项参数；通过仿真技术优化各项设计参数；通过版图设计将原理图变为工艺版图；再经过寄生参数提取，仿真验证和设计规则验证。最后交付流片进行制作。 0.31 Noise（uV/sqrt Hz) 50° 相位裕度 125＋/71.9- 电源抑制比（dB） 33.7 单位增益带宽(MHz） 9.7 偏置电流（uA） 104 CMRR（dB） 481 静态功耗（uW） -32.5 共模增益（dB） 14.33 Slew Rate（V/us） 71.7 差分增益（dB） *