)52’制造中硅片化学机械抛光运动机理.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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第卷第期半导体学报 S ? C.AaS [.a? ! ! ! ! ! ! 年月 ! __V ? O0[+!+5HQP[@6H;!+B0H[DQ4HP! B#(a__V ! ! ! ! 制造中硅片化学机械抛光的运动机理 )52’ ! T T T T T 苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟 ! ! ! ! 精密与特种加工教育部重点实验室!大连理工大学!大连 $ T TTS_= ! 河南科技学院!新乡 $ =V?__? ! 摘要!从运动学角度出发!根据硅片与抛光垫的运动关系!通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹!揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响分析结果表明#硅片与抛光垫 a 转速相等转向相同时可获得最佳的材料去除非均匀性及材料去除率研究结果为设计机床!选择的运 a BY BY 动参数和进一步理解 BY的材料去除机理提供了理论依据a 关键词!化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒 # **00 _ VV_ ZS_ 中图分类号! g 文献标识码! 文章编号! # 4[?_VUT @ _V?F=T‘‘__V_?F_S_SF_‘ ! ! ! ! ! ! ’ ! ( 中在基于流体动力学理论 L T_ 及基于接触力学理 ’ ! ( P 引言论 TT T 方面的硅片 BY 材料去除机理研究上 ! ’ (