一种基于CVD法的纳米碳管微观分析及场致发射特性的研究.pdfVIP

一种基于CVD法的纳米碳管微观分析及场致发射特性的研究木 刘立军1，张志勇1，杨延宁1一，翟春雪1 摘要： 将化学气相沉积法(cVD)制备的纳米碳管要是所制备的纳米碳管不纯以及缺陷较多。 提纯后，用透射电镜(TEM)观测了它的微观结构，通 过实验对纳米碳管在不同温度下生长的结构特性进行 了分析比较，得出了纳米碳管生长的最佳温度为750℃； 并对纳米碳管粉体的拉曼(R锄锄)光谱进行了分析，得 到了与透射电镜观测相一致的结论；最后测试了纳米碳 管的场致发射特性． 关键词：化学气相沉积(cvD)；纳米碳管；微观分析； 场致发射 图l 纯化前、后纳米碳管TEM照片 中图分类号： 0462．4 文献标识码：A l TEM oftIle Fig mo印hologiesunpIlrified锄dpudfied 100l一973 文章编号： l(2007)增刊．0468．03 CNTS 1 引 言 纳米碳管(CNrs)作为一种新型的碳材料，具有 较高的化学稳定性和优异的表面性质，可以作为催化剂 载体材料，同时它还具有发射电流密度大、功函数小、 阈值电场低以及发射电流稳定性好等优点，可以作为电 子发射的理想材料，有望在冷阴极发射电子枪和平板显 示器等众多领域中获得应用。 2纳米碳管的微观分析 图2被酸破坏的纳米碳管 2·l 制备与提纯 211le acid CNrs Fig des们yedby CVD法是碳源气(CH4，C2】嘎)在高温下，经催化剂 2．2温度对纳米碳管生长的影响 的催化，最终沉淀在催化剂表面而生成纳米碳管。具体 在相同的实验条件下，分别在温度为650、750和 生长过程是在一平放的管式炉中放入作为反应器的石 850℃的炉内进行纳米碳管生长，用10万倍放大倍数的 英管，将一瓷舟置于石英管中，瓷舟里盛放配置好的 透射电镜观察纳米碳管的整体形貌图，实验结果如图3 Ni(N03)催化剂溶液。开始升温至目标温度后，开通氢 所示。经图TEM照片可知，在650℃下生长的纳米碳 气，流量为150m蜥n，进行还原，历时大约2h。而后 管直径尺寸大部分集中在20Ilm左右，管径较细，碳管 通入甲烷，流量为80IIll腼n，同时加大氢气的流量至 的结构较完整，缺陷较少；在750℃下，其直径分布在 180m1，Inin，进行纳米碳管的高温生长，历时2h后制备 30nm左右，管的结构较完整，有少量杂质；而在850℃ 完成。 下，其直径主要分布在50nm左右，并有较多的杂质。 把制备好的纳米碳管依次经过超声振荡、硝酸、盐 从该图中可明显的看出，在850℃温度下的纳米碳管直 酸处理后彻底除去样品中夹杂在纳米碳管间的催化剂 径较前两者较粗，且杂质缺陷较多。 颗粒、无定型碳及富勒烯等杂质，最后进行了透射电