2014年《微电子学概论》-ch4.pptVIP

上一次课的主要内容 从原始硅片到封装测试前的关键工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 工艺：光刻、刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 工艺：扩散，离子注入 ，退火 薄膜制备：制作各种材料的薄膜 工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积 工艺集成 工艺集成：组合工艺，制备不同类型的集成电路 栅电极： 重掺杂的多晶硅 隔离工艺 MOS晶体管结构: 自隔离性 相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏 MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启 增大场氧化层厚度 提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值 LOCOS隔离 连线 接触孔 金属连线 形成穿通接触孔 化学气相淀积磷硅玻璃 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅(PECVD) 光刻钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形，刻出压焊点 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+