冷等离子体中的粉体研究.pdfVIP

!!丝 丝 丝 塑 ．丝 !!!!堡塑型塑!堂 冷等离子体中的粉体研究木 王敬义，尹盛，赵亮，赵伯芳 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要： 介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要 2粉体在等离子体中的运动 成果，分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时 间及刻蚀状况．理论分析和实验结果表明带振动阴极的 运动研究的目的在于在工艺过程中避免粉体运动 反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室 到工件的加工面和弄清对粉体表面加工时粉体所处的 要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉纯化具有应用 位置以及它们在反应区停留的时间。 前景． 2．1直立式平行平面电极系统 关键词： 冷等离子体；粉体表面刻蚀；硅粉纯化 粉体从顶部撒入，沉降到底部收集。工作气体从底 中图分类号：TN304．05l 文献标识码：A 部进入而项部抽出。粉体进入鞘层区以后一般承受重力 文章编号： 1001．9731(2007)增刊．4022．03 和气体反向吹拂的型阻力作用。在只考虑重力(朝下) 和型阻力(朝上)的作用下，粉体下降的加速度可写成： 1 引 言 口z29一日g (1) 低气压下的放电等离子体由于背景温度在室温附 其中g为重力加速度；％为型阻力产生的加速度， 近，属“冷等离子体”。我们发现在薄膜沉积过程中，冷 可表示为‘2】： 等离子具有冶金(提纯)效应【l】。例如无论是用N型硅 口叠=A(3yz+B) (2) 靶或是P硅靶在氢气氛下溅射淀积的非晶硅薄膜都是I 其中％为粉粒下降的速度； 型(本征型)的，且薄膜成分与靶不一样(工艺控制得 厂—————————————：=_一 ^√删g×1．66×10嘲幻 好时纯度可提高一个量级以上)。利用多项国家自然科 学基金的支持，对冷等离子体对的作用进行了较深入的 肛—7五F一； 研究，其目的在于发挥冶金效应的作用。 由于本底温度低，冷等离子体对粉体的作用仅限于 曰：鱼兰兰!：三兰!鲨 (3) 表面。工业硅熔体在冷却结晶过程中，由于金属杂质在 兀D‘ 硅中的分凝系数(在固态和液态中溶解度之比)很低将经 式(3)中，K为波尔兹曼常数；2’为反应区温度； 历一次物理提纯。物理提纯的结果使杂质集中于最后固 魄和rg分别为吹拂气体的平均分子量和平均分子半径； 化的那部分硅中。多晶硅晶粒先由晶核开始固化，最后 p。和d分别为粉粒的质量密度和等效直径；S为真空机 才是边界，因此晶粒边界将积聚大量杂质金属尤其是过 组的抽气(名牌)速度，单位为us；凰为抽气速率比 渡金属。控制降温速度可以确保晶粒尺寸为50～100um， (反应区的排气速度与S之比)：D为反应区气流截面 而粉碎时也将硅粉制成50～100¨m的颗粒则可近似地认 的等效直径。初