GaN刻蚀表面上GaCl-%2cx-的滞留研究.pdfVIP

(JaN刻蚀表面上GaCI。的滞留研究 魏珂刘训春王润梅罗明雄曹振亚牛立华肖冬萍 中科院微电子中心北京650信箱100010 摘要： 近几年来，GaN以代表的新一代III．vI族氮化物半导体材料发展迅猛。GaN具有禁带 宽度大，热稳定性及化学稳定性好，电子极限漂移速度大等优点。因此在高温、大功率高速 器件方面具有很广泛的应用前景。 由于GaN具有良好的的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题。湿法腐 蚀较为困难，干法刻蚀技术成为首选．本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN 的刻蚀研究中，通过添加CF4气体，初步解决了ICP刻蚀表面上GaCI。的滞留问题，改善 了刻蚀形貌。 关键词：干法刻蚀GaN。GaCIx 1引言 近几年来，Ⅲ族氮化物半导体的研究迅速崛起，GaN是ⅡI族氮化物的典型代表，目前 已经成为研究热点。这类宽带隙半导体材料制作的器件在大功率、高温、高频和短波长应用 方面的工作特性远远优于Si、GaAs、InP材料制作的器件。GaN带隙宽、介电常数低、 热导率高．这些特性适合于商可靠性固态器件的应用。此外GaN抗化学腐蚀性很强，可用于 恶劣环境下工作。目前GaN被用于蓝光LED，激光器、光电探测器、