LM741的低剂量率增强效应研究论文.pdfVIP

牟维兵，徐曦：LM741的低剂量率增强效应研究 LM741的低剂量率增强效应研究 牟维兵，徐曦 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳，621900) 数变化和辐照期l量率的关系。研究结果表明，单运放开环增益随辐照剂量的增加而减小，和辐照剂量率的交 化不大，在0．1md／s剂量率辐照下的变化最显著。 关键词：单运放 电参数 剂量率 1 低剂量率效应产生的机理 在双极线性器件存在氧化物层，在低剂量率辐照时，在氧化物内产生过量的俘获电荷，在低电场 下，这种俘获电荷传输到界面要花很长的时间。在室温下，氧化物内的电荷传输要经几百秒时间，体区 内远离界面的俘获电荷甚至不传输。这是低剂量率增强效应产生的根本原因【l邡】。对双极器件，当辐照 剂量率小于10rad／s时，电离损伤会与剂量率相关，并且损伤会增加。 甚至相同工艺的器件对低剂量率显示不同的灵敏度。似乎分立器件不受低剂量率效应影响，而集 成电路对低剂量率比较灵敏，灵敏度和那些集成电路制造过程有关，这些制造过程分立器件是不用的。 分离器件和集成电路制造过程的主要差别是隔离步骤，即相邻的集成电路器件彼此没