SOI横向功率器件耐压结构的研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第五分册：光电与光谱技术 SOI 横向功率器件耐压结构的研究 12 2 1 1 张保华 刘文清 陈军宁 吴秀龙 （1．安徽大学电子科学与技术学院 安徽合肥 230039 2．中科院安徽光机所 安徽合肥 230031) 摘要：SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中，而击穿电压是功率器件一个重要的参数。 本文对 SOI 横向功率器件的击穿电压进行了分析，介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压 的结构，较为详细的分析了RESURF 原理的应用。 关键词：击穿电压；SOI；横向功率器件 0 引言 由于采用SOI材料做成的器件能实现全介质隔离，其寄生电容和泄漏电流小，驱动电流大，所以 [1] 适合制造功率集成电路及器件 。横向功率MOS器件的优点在于其所有电极均位于芯片表面, 易于通 过内部连接实现与低压信号电路及其它器件的相互集成, 并且驱动电路简单, 使之成为功率集成电 路中普遍采用的