ZnO纳米带的电子显微学研究.pdfVIP

电子显微学报J．ChinEleetrMicrosc．Soe 370 23(4)：370—3702004年 ZnO纳米带的电子显微学研究 李英，马秀良 (中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室，辽宁沈阳110016) 自从1991年lijima发现纳米炭管“’以来，一系如图1a所示，反应产物有大量纳米条带和纳米 列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等) 棒，宽度范围在50～500nto左右，长度则在几微米到 被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结 几十微米范围内。图1b为对一根ZnO纳米带进行 构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料 观察所得的TEM形貌像，图1c为与图1b所对应的 的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基 选区电子衍射和高分辨照片。大量的纳米带沿着 础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广 [1120]方向生长，这与以前的报道不同”’“。此外， 泛关注和研究。宽的和直的带隙半导体(如ZnO、我们也观察到沿[O001]方向