衬底温度对用RF-PECVD法制备非晶硅薄膜光学性能影响.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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衬底温度对用RF-PECVD法制备非晶硅薄膜光学性能影响.pdf

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理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) 1252 A cta Phys. Chim. Sin., 2007, 23(8) ：1252-1256 August [Note] 衬底温度对用RF PECVD 法制备的非晶硅薄膜光学性能影响世彬1,2 吴志明1,2, 朱魁鹏1 蒋亚东2 伟2 廖乃镘2 (1 电子科技大学光电信息学院, 成都 610054; 2 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054) 摘要：采用射频等离子增强化学气相沉积(RF PECVD)工艺制备非晶硅(a Si:H)薄膜, KBr 衬底在 175-275 益范围内变化, 用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr 衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况, 结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律. 光谱式椭圆偏振仪中用Forouhi Bloomer (FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n), 消光系数(k), 膜厚及光学禁带宽度(E ), 并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结 g 果的准性进行验证. 根据Tauc公式推出薄膜的E 和截止波长, 并和FB模型得到的结果进行了比较, E 和E g g(FB) g(Tauc) 的差值在0.015 eV 内. 关键词：非晶硅; 光学常数; 光学禁带; 傅立叶红外光谱; 薄膜中图分类号： O649 Effect of Substrate Temperature on the Optical Properties of a Si:H Films by RF PECVD LI Shi Bin1,2 WU Zhi Ming1,2, ZHU Kui Peng1 JIANG Ya Dong2 LI Wei2 LIAO Nai Man2 1 ( School of Op toelectronic Inf ormation, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu 610054, P. R. China; 2State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu 610054, P. R. China) Abstract ： Hydrogenated amorphous silicon films were grown by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) and the substrate temperature of samp