单轴应力锗能带结构的研究.pdfVIP

中国科学: 物理学 力学 天文学 2012 年 第42 卷 第1 期: 15–21 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica SCIENCE CHINA PRESS 论 文 单轴应力锗能带结构研究 * 马建立 , 张鹤鸣, 宋建军, 魏群, 王晓艳, 王冠宇, 徐小波 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 *联系人, E-mail: jianlima2005@126.com 收稿日期: 2011-04-27; 接受日期: 2011-09-19; 网络出版日期: 2011-12-20 国家部委资助项目(编号: 61398, 51308040106, 9140C090303110C0904)和陕西省自然科学基础研究计划(编号: 2010JQ8008)资助 项目 摘要 用形变势理论讨论了单轴001和110及111张/压应力对锗导带各能谷(能谷、