超薄栅氧化层中应力秀导漏电流的研究论文.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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超薄栅氧化层中应力秀导漏电流的研究论文.pdf

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超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究熊海¨，孔学东2，章晓文2 (1．广东工业大学材料与能源学院，广东广州 510075： 2．信息产业部电子第五研究所，广东广州 5106i0) 摘要随超大规模集成电路的发展，栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用．应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层质量的重要参数．在这篇文章中栅漏电流的变化盈被用米监控 MOSFET器件中氧化层的老化．本文就栅漏电流和橱氧化层的可靠性的关系进行了研究．关键词：应力诱导漏电流氯化层老化隧穿电流可靠性 A OfStressInduced CurrentIn Study Leakage Gate Ultra．thinOxides XIONGHai KONG ZHANGXiao-wen2 1,2， Xue-don92． 5 (1．GuangdongUniversityofTechnology,Guangzhou 1．0075．China； 2．CEPREI，Guangzhou510610，China) scale of AbstractWiththe ofultra thin large development integrated(ULSl)，thequality gate amorc roleinthe ofdevicesand oxide circuits．SILCisa plays important reliability key tovaluethe ofthin oxide．inthis currentvariation parametergatequality gate pater，gateleakage hasusedto the monitoroxide inMOSFETdevices．Aofthe degradation study relationship betweenSILCand ofoxidehasbeenmadeinthis reliability pater． words：SILCOxide currents Degradation Key Tunneling Reliability l 引言随着微电子技术的迅速发展，超薄栅氧化层的击穿已经成为超人规模集成电路的重要韵可靠性问题。对于深弧微米MOS器件：I：艺水平已经超出45纳米．集成度的提高要求栅氧化层的厚度迸一步的降低。使漏电流成为一个不可忽视的问题。很多文章介绍了栅氧化层厚度低于5rim的MOS器件中介质老化击穿的研究，但是至今各种击穿模型和击穿机理还没有一个定论。本文就超薄栅氧化层的一些相关要素进行一些讨论．重点讨论应力