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超结VDMOS器件的研究及最新进展 任敏1李泽宏1张金平1张波1邓光敏1张帅2王飞2 1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054 2.华虹-NEC电子有限公司，上海201206 摘要：超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。本文 介绍了超结理论的提出及发展，以及国际上超结VDMOS器件领域的最新进展，并结合本研究小组在该领 域的一些研究成果，对超结理论和器件的发展进行评述。 关键词：超结；VDMOS;导通电阻；击穿电压 级，有效地降低了器件的导通电阻。图2为普通pin二极管和含超结结构二极管三维电场分布图，可以看 到超结结构电场分布近似为矩形。 buffer 高漂移层耐压的方法【2】。1993年，我国的陈星弼院士提出了“复合缓冲层”(compositelayer)结构131， Theory)的 概念，并推导了超结结构击穿电压与导通电阻之间的关系。之后，陈星弼院士在新的假设条件【6J下进行了 ‘ 更严格的理论推导，得出导通电阻与击穿电压之间满足： oc曰y1·32 冗0N 该公式可以很好地解释实验数据，因而被广泛引用。 P P 盯 P ” 附 旷 Cathode (a)普通pin-二极管结构示意图(b)含有SJ结构的二极管结构示意图 图1普通pin二极管结构示意图和含有SJ结构的二极管结构示意图 (a)普通pin-极管三维电场分布图(b)含有SJ结构的二极管三维电场分 图2普通pin二极管三维电场分布图和含有SJ结构的二极管三维电场分布图 以上的早期研究工作奠定了超级理论的基石。为一系列基于该理论的新型器件诞生打下了基础。近年 136 来，对超结理论体系的研究仍在不断改进和完善。超结结构实现高耐压的前提是p／n柱区严格满足电荷平 衡，这在实际制造工艺中很难满足，因此分析电荷失衡对超结器件性能的影响具有重要意义。P．M．Shenoy 等人‘7】通过二维器件数值模拟分析了p／n柱区浓度和宽度偏差对耐压等参数的影响：击穿电压受电荷不平 衡的影响很大，并且p／n柱区浓度越高，耐压下降的幅度就越大。之后，Ettorc Napoli【町和HanWang等人 【9J进一步通过建立简析模型，分析电荷失衡对超结器件耐压的影响。 ：孑歹 。 ：‘／ ／ 图3电荷不平衡对超结结构击穿电压的影响【刀。 P柱区浓度越高，对击穿电压的影响就越大。 2超结VDMOS器件结构研究进展 1998年德国Inrmeon公司推出了第一款商用600 V超结VDMOS器件‘‘1200lMO．Stir．，相同的管 与传统功率MOS．器件相似。而当器件反向偏置时，复合缓冲层中除了有纵向电场，还将产生一个横向电场 使pn结相互耗尽，使漂移区电场分布接近于矩形，从而起到承