氮化硅介质薄膜的反应离子刻蚀研究.pdfVIP

V01．40 第40卷 增刊 电子科技大学学报 Suppl． 2011年4月 Journal ofElectronicScienceand ofChina ofUniversity Technology Apr．2011 氮化硅介质薄膜的反应离子刻蚀研究 戴丽萍，王姝娅，钟志亲，束 平，王 刚，张国俊 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054) 【摘要】利用luB淡术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响．实验结果 表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJE功率为120W、ICP-功率为500W时的刻蚀效果较好，可得到较为理想的刻蚀速率，刻蚀 后表面残余光刻胶容易湿法去除，微图形表面平簦． 关键词刻蚀速率；Bi203；微图形；氮化硅 中图分类号TB43