典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究论文.pdfVIP

第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究 崔帅，曹雷团，张力，牛振红，刘洪艳，李志峰，薛莲 (北京航天长征飞行器研究所，北京9200信箱76分箱6号，100076) 摘要：对程控系统典型组件80(2196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究，分析了不同 脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异，对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究．为后续单片机 抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持。 关键词；80C196KC20、瞬时辐射、闭锁 环境中，体硅CMO$器件内部PN结会产生瞬时光电流，导致器件闭锁，使整个电子系统失去功能。 闭锁效应—般可以分为两种类型：深闭锁，瞬时辐射引起闭锁路径形成很大的电流并维持闭锁状态，直 到切断电源才能结束闭锁；浅闭锁，瞬时辐射在闭锁路径上形成的电流不足以维持闭锁状态，辐射后很 短时间闭锁电流会自动消失，电路功能恢复正常。 1试验方法 1．1试验样品 系统的主要功能是按装订的系统参数和状态进行工作。其的核心器件为16位内核的单片机 图如图l所示。 功率驱动电