a-Si：H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析.pdfVIP

维普资讯 第23卷 第3期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第95期 Vo1．23 No．3 JournalofMaterialsScience＆Engineering Jun．2005 文章编号：1004．793x(2005)03—0462-04 a．Si：H薄膜的再结晶技术及 Si膜的Raman光谱分析 冯团辉。张宇翔。王海燕，靳瑞敏，卢景霄 (郑州大学教育部材料物理重点实验室 。河南 郑州 450052) 摘【 要】 论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术，着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待 进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。另外，还讨论了通过 Raman光谱求纳晶硅薄膜 的晶粒尺寸和结晶度的方法。 【关键词】 非晶硅薄膜；再结晶技术；多晶硅薄膜太阳电池；Raman光谱；晶粒尺寸；结晶度 中图分类号 ：0484．1 文献标识码：A RecrystallizationTechnologyofa—Si：H ThinFilms andRamanSpectraAnalysisofSiThinFilms FENGTuan-hui，ZHANGYu-xiang，WANG Hai-yan，JIN Rui-min，LUJing-xiao (LaboratoryofMaterialPhyMcsoftheMinistyofEducationofChina，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou 450052，China) A【bstract】 Severalbasicrecrystallizationtechniquesofa—Si：Hthinfilmswereintroducedanddiscussed．Theemphasiswasputtedon theresearchresultsachieved，theadvantageanddisadvantageofvariousrecrystallizationtechniques，thecontentsthatwillbefurtherstudied andtheapplicationprobabilityofthem intheindustryproductivityofpolysiliconthin—film solarcells．Inaddition，themethodofcalculating thegrainsizeandcrystallinefractionofnanoscalesiliconthinfilmsthroughRamanspectrum wasdiscussed． K【eywords】 amorphoussiliconthinfilm；rycrystallizationtechnique；polysiliconhtin—filmsolarcells；Ramanspectra；crystalline fraction；grainsize · 薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。Raman光谱是获得 1 前 言 物质结构信息的重要手段 ，多年来一直被用于硅薄膜微观 结构的分析 ，例如求非晶硅薄膜的无序度，纳晶硅薄膜的晶 多晶硅薄膜太阳电池已被光伏界人士公认为能够实现 粒尺寸和结晶度等。通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒 高效率、低成本、长寿命的第二代太阳电池的候选者之一， 尺寸和结晶度时文献中使用的公式有很多种 ，笔者发现有 一 般情况下 ．大晶粒的优质多晶硅薄膜有助于提高多晶硅 的公式计算出的结果能够基本反映材料的实际情况，而有 薄膜太阳电池的转换效率。