CVD淀积SiC薄膜SiH_4CH_4的分解反应的计算机模拟研究.pdfVIP

　 计　算　机　与　现　代　化 　 2000 年第 3 期　　　　　　　　　J ISUAN J I YU X IANDA IHUA 　　 　　　　　　　　总第 67 期 文章编号:(2000) 淀积 薄膜 4、 4 的分解反应的 CVD SiC SiH CH 计算机模拟研究 张洪涛, 许　辉, 徐重阳, 邹雪城, 王长安, 赵伯芳, 周雪梅 (湖北工学院电气工程与计算机科学系, 湖北 武汉　430074) 摘要: 采用化学气相淀积( ) 淀积 薄膜中 4、 4 的分解反应方程对 4、 4 的 CVD SiC SiH CH SiH CH 分解产物种属进行数学建模, 并结合相关热力学数据进行计算机模拟, 得出SiH 4 分解产物中 以SiH 2 为最多, CH 4 以CH 2 为最多, 表明它们在淀积薄膜中是主要因素。 关键词: 数值模拟; 化学气相淀积; 分解反应; SiC 薄膜 中图分类号: O 6- 39　　　　文献标识码:B Com puting Sim ula tion of D ecom position of SIH4 and CH4 in SiC F ilm s , , , ZHAN G Hong tao XU H u i XU Zhong yang , , , ZOU Xue cheng W AN G Chang an ZHAO Bo fang ZHOU Xue m ei ( . , , , 430074, ) D ep t of E lectronics Science and T echno logy H uazhong U niversity of Science and T echno logy W uhan Ch ina : . Abstract T he decompo sing m echanism of SiH 4 and CH 4 in nc SiC film by CVD w as discussed A fter the reaction equations w ere determ ined by co llecting p revious chem ical data, the computing sim ulation w as . . carried out T he results show that the SiH 2 and CH 2 are m ain fact