金属化学-机械抛光技术的研究进展.pdfVIP

第/$ 卷 第. 期 应 用 化 学 Q=5; /$ R=; . /$$ 年. 月 ! ! ! (PR1N1 S+TCR-U +V -**U1B (P1)NWCX! ! ! )3Y /$$ 金属的化学!机械抛光技术研究进展 ! # ! 何捍卫 ! 胡岳华 ! 周科朝 ! 徐! 竞 ! （ 中南大学粉末冶金国家重点实验室! 长沙 #$$% ；中南大学资源加工与生物工程学院! 长沙） 摘! 要! 介绍了近年来金属化学’机械抛光（()* ）技术的一些研究进展。内容包括()* 技术的实验方法进 展与抛光效果的表征，()* 设备与消耗品的发展。分析了目前()* 技术存在的问题，提出了可能解决问题的 一些建议。认为定量()* 速率方程的建立是解决好终点在线检测的关键之一。 关键词! 金属，化学机械抛光，综述 中图分类号： +,,! ! ! ! ! 文献标识码：-! ! ! ! ! 文章编号：#$$$’$.#%（/$$ ）$.’$ #.’$. ［#］ 集成电路（简称( ）多层化和立体化的结构，要求刻蚀表面很平坦 。现代的光刻机步进器因焦深 小（约$? @ !2 ）而不能满足, )A 动态随机存取存储器（BC-) ）制备的要求，BC-) 表面需要全局平面 化［/ ］。采用传统的平面化技术如选择淀积、溅射玻璃、化学气相沉积等只能局部平面化（5=35 D5383E4F3’ G4=8 ），不能全局平面化（H5=A35 D5383E4F3G4=8 ）。化学’机械抛光（(672435’)7638435 *=54I648H ，简称()* ） ［/ ］ 技术是目前最好的全局平面化技术，由J) 于#00# 年在, )A BC-) 的生产中获得成功的应用 。 ［ ］ ［ ］ %$ 年代初国外进行了这一技术的研究开发 ，0$ 年代初已见专利报道 。但抛光料浆的配方一直 ［ ］ ［. ］ 作为商业秘密 。根据K3LM238 等 金属()* 模型，抛光液的成分主要由腐蚀剂、成膜剂和成膜助剂、 纳米磨粒这 部分组成。腐蚀剂起腐蚀溶解金属的作用，成膜剂在金属表面形成钝化膜而阻止金属的 腐蚀溶解，成膜助剂起改善钝化膜性能的作用。纳米磨粒的机械磨损除去凸处表面膜而促进金属的腐 蚀溶解，凹处则得到钝化膜的有效保护。形成的表面钝化膜能降低金属表面硬度，使得机械磨损更容易 进行。于是，抛光过程按照钝化’磨损’再钝化’再磨损的方式循环进行，直到全局平面化。因此，金属的 ()* 过程实际上是机械磨损下的电化学腐蚀过程，是化学抛光与机械抛光平衡的过程。 # ()* 技术的实验方法进展及抛光效果的表征 ()* 过程机理十分复杂，其理论还处于发展阶段。对()* 进行研究的实验方法因侧重面不同而 异，概括起来主要有电化学实验法、磨擦磨损’流体力学实验法/ 大类。 电化学实验法主要考察抛光片在抛光料浆中进行()* 时腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化，从而可 定性地确定抛光液配方组成、抛光压力及转速。 腐蚀电化学理论常用来解释金属()* 过程的电化学机理，如表面钝化膜的形成及金属的腐蚀溶解 等。被磨粒磨损下来的碎屑在抛光液中的溶解也是通过电化学反应实现的。在抛光液中，由于自钝化 作用，抛光片仅靠腐蚀剂的浸蚀所造成的腐蚀速率很小［, ］。但通过磨粒的作用，腐蚀速率得到了加速。 ［. ］