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无磁芯变压器在高边驱动中的应用 闫晓金 宁武 陈永真 辽宁工学 121001本文介绍了一种低廉的解决方案，在硅片构架上集成一个双绕组的无磁芯变压器，现了IC内集成变压器的好处，描述了该技术在半桥驱动IC中的应用，并给出了信号传输和绝缘电压的测量结果。半桥Coreless transformer in high side drive Yan Xiaojin Ning Wu Chen Yongzhen LiaoNing University of Technology 121001 Abstract: Characteristic of half bridge driver is analyzed in this paper, and pointed out at present high side drive existent flaw in half bridge structure. An inexpensive solution of high side drive is also introduced, by integrating dual-windings of a coreless transformer on a silicon die, the advantages of a transformer integrated into IC are displayed. Application of the technology used in half-bridge driver are described. Signal transmission and data of isolated voltage are shown. Key words: coreless transformer; half-bridge driver; high side drive 1 引言 在半桥结构中驱动高边开关必须要有信号从控制器传送到浮动高边。根据驱动电路的性能和拥有不同种类电平位移的HV IC, 信号互换需要用光电耦合器、脉冲变压器或带有电平位移的HV IC。光电耦合器提供安全隔离, 存在的问题是：光电耦合器的响应速度相对MOSFET、IGBT等开关速度太低、性能会变差；隔离变压器尽管是很普遍的解决方案，所带来的问题是：驱动电路变得复杂、驱动信号的占空比受到限制（如50%以下）、驱动信号的波形变差；带有电平位移的HV IC价格是比较低廉的，但需要专用的驱动IC。2 半桥驱动器的特性 为了能够将多种功能集成在IC中，本文讨论了半桥驱动器的潜在性能。极驱动驱动功率半导体器件必须引用控制器的PWM信号为发射极与栅极提供电压。控制器的输出信号电压不是很高，并且电压变化率也很低，因此需要放大和电平调整。如果功率设备是在同样的电压下栅极驱动功能加以补充和丰富, 但在许多情况下发射极与控制器的电压是不同的。图1所示的半桥驱动结构跟普通电力电子线路里的一样，控制器和高边发射极之间的电压VE2不仅是不同, 而且在工作期间是变化的。将PWM信号从控制器传送到高边功率半导体，多种类型的信号传送器。总之栅极驱动的最小功能是放大和电平位移。电平位移工业要求在功率级和频率变换器控制板之间要有安全隔离。在很多低性能驱动应用中牺牲更多的效率来实现电路板和微控制器之间的隔离。 如果在控制器和功率级之间不加绝缘隔离, 可以应用如图2所示的带有单片集成电平位移的高压IC。这IC在600V及其以下的电压时非常消耗效率。由于更高的电压在输入和输出之间用硅实现准隔离使这种解决方案变得很昂贵。高电平驱动通常需要在微控制器和功率级之间加隔离。在工作电压达到890V的应用中，这些驱动的首选是现成可用的具有安全隔离的光电耦合器。所有采用光电耦合器的解决方案的主要缺陷在于相当慢传输时间和更差的变换时间。高电压隔离也可以由脉冲变压器实现离散脉冲变压器的传输特性是不错的, 但成本和物理大小迫使人们寻找新的解决方案。无磁芯变压器一种新的解决方案。3 无磁芯变压器技术 3.1 无磁芯变压器原理 变压器技术使用半导体制造集成金属螺旋和氧化硅绝缘材料变压器主要思想是在IC内集成变压器的两个绕组，如图3所示。变压器安置在接收器也。离散变压器需要磁芯产生磁通量，绕组在IC内放置的足够紧密来保护磁芯。变压器由于绕组的设计和大小，耦合能力可能减小到很低, 在输入和输出之间的总容量由框架的大小控制。一个好的绕组设计可使它不受外界磁场的影响。根据EN50178，为保证工作电压达到890V的应用的安全隔离，绕组之间的隔离需要能承受6kV的电压。 氧化硅是IC中常用的隔离材料，只要用适当的生产技术可以做到足够的厚度。可以采用具有较强集成逻辑能力的技术来支持无磁芯变压器的应用。当变压器传送脉冲, 还需要