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挑战常规SSD　全面进占行动应用的NAND储存架构 Digitimes 林宗辉 2010/11/16 NAND Flash内存在行动产品上的应用其来已久，但相关储存媒体的技术发展在整个行动产品架构方面，往往都被摆到优先度较低的层级，也因为消费者对此架构改变的敏感度较低，导致硬件厂商在这方面的重视程度往往不如核心处理器。 但随着智能型手机(Smartphone)等行动应用产品对储存需求的抬头，从此起彼落的应用程序商店、影音应用，到个人资料储存，智能型手机等行动终端对储存需求的拉抬，终于让硬件厂商逐渐了解此一环节的重要性。从容量、效能，到数据的保全，储存架构甚至可以决定1款智能型手机的最终效能表现以及相关使用体验。 以高阶智能型手机为例，其内建储存空间已经从过去以ROM为主流的的64MB、256MB，到现在转而以MLC NAND Flash内存为主的8~16GB，2011年甚至可上看32~64GB，为了让硬件厂商能够更容易管理如此庞大的储存空间，并改善整体读写性能，内存产业也规范了一系列可供依循的标准。 这类标准其实都基于类似的架构，就是把过去只依靠应用处理器本身的NAND Flash存取接口，转而透过独立控制器来对NAND Flash进行存取，如此可改善储存成本、效能以及储存可靠性。换句话说，虽然定义上使然，这些储存架构不能称为SSD，但此类泛SSD架构储存媒体早已经悄悄进入行动