PDP选址驱动芯片HV_COMS器件设计.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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第22卷　第1期固体电子学研究与进展 V o l. 22,N o. 1 　　　　　　　　　　　　　　　　 2002 年 2 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE F eb. , 2002 选址驱动芯片的 - 器件设计 PD P HV COM S 陆生礼　孙伟锋　易扬波　谭　悦　吴建辉　时龙兴 ( 东南大学国家A S IC 系统工程中心, 南京, 2 10096) 200 104 12 收稿, 200 10925 收改稿摘要: 设计出一种能与 0. 6 的标准低压工艺完全兼容的 ( ) 结 m CM O S HV CM O S H igh V o ltage CM O S 构, 并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺, 该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 T SU PR EM 4 对该结构进行工艺模拟, 并用对该结构的电流电压和击穿等特性进行模拟。该结构的应用 M ED IC I HV CM O S 于 PD P (P la sm a D isp lay P an e l) 选址驱动芯片, 能在 80 V 、40 mA 的工作要求下安全工作。关键词: 等离子平板显示驱动; 高压 CM O S; 高低压兼容; CM O S 工艺; TSUPREM - 4;M ED IC I 中图分类号: TN 7 10　TN 432　　文献标识码: A 　　文章编号:(2002) 0 107206 H igh Voltage CM O S D esign f or P la sma D isplay Pan el D a ta D r iver IC 　　　　　 LU Sh en g li SU N W eifen g Y I Y an gbo TAN Yu e W U J ianhu i SH I L on gx in g (S ou th eas t U n iv ers ity N a tiona l A S I C Sy s tem E ng ineer ing R esea rch Cen ter, N anj ing , 2 10096, CH N ) : ( ) 0. 6 A bstract A H igh V o ltage CM O S HV CM O S com p at ib le w