碳和氮原子在氧沉淀中作用.pdfVIP

　第 20 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 2　 V o l N o 　1999 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1999　 碳和氮原子在氧沉淀中的作用 刘培东　朱爱平　张锦心　李立本　阙端麟 (浙江大学硅材料科学国家重点实验室　杭州　310027) (浙江半导体技术有限责任公司　杭州　310027) 摘要　 本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制, 指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成 碳硅氧、氮对硅氧复合体, 它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心, 促进氧沉淀的生成. 文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核, 而碳原子因条件而异, 既可参与氧沉淀的成核, 也可 参与氧沉淀的长大. 研究表明, 高碳样品, 在低于 900 ℃的热处理时, 碳原子参与氧沉淀的长 大, 可显著降低氧沉淀引起的体积应变能, 促进氧沉淀的长大; 高于 900 ℃的热处理, 碳原子可 不参与氧沉淀的长大. 但如果不经过高温预处理, 由于在低温热历史中, 碳原子已参与氧沉淀 胚核的形成, 碳原子参与氧沉淀的长大可降低氧沉淀长大过程中的界面能, 碳原子同样会析 出. 1100℃时, 碳、氮原子对氧沉淀的作用不大. PACC: 6170, 7830; 　EEACC: 2520, 7230 1　引言 硅中微量氮原子, 及高碳样品中的碳原子能促进氧沉淀生成, 这一点已为众多研究者所 证实. 然而对氮和碳促进氧沉淀的机制, 认识上很不一致, 特别是对于碳原子对氧沉淀的作 用争论更多. 一种观点认为碳原子作为氧沉淀的异质成核中心, 促进氧沉淀的生成, 碳原 子仅参于氧沉淀的成核; 而另一种观点则认为碳原子不仅参与氧沉淀的成核, 同时参与了 氧沉淀的长大. F. Sh im u ra[ 1 ] 等人认为碳原子对氧沉淀的促进作用存在一个临界温度 T c (大 ) 约 850℃左右 , 低于临界温度, 碳原子参与氧沉淀的成核和长大, 表现为氧沉淀的同时碳浓 度大量降低, 而在高于 T c 温度下, 碳原子只起催化剂作用, 表现为氧沉淀的同时, 碳浓度没 有多大改变. 至于为什么存在这个 T c , 以及催化剂作用的机制, F. Sh im u ra 没有说明. 更重 要的是, 即使在高于 T c 的温度下也发现在氧沉淀的同时, 碳原子大量析出. 此外, 在硅中比 碳原子低二个数量级的氮原子, 却显示了与碳同样的促进氧沉淀的作用, 碳和氮原子的这种 差别的原因值得研究者关注. 本文详细研究硅中碳和氮对氧沉淀的作用. 刘培东　男, 1963 年出生, 高级工程师, 现从事硅材料研究与生产 朱爱萍　女, 1957 年出生, 工程师, 现从事硅材料测试 阙端麟　男, 1928 年出生, 教授, 中国科学院院士, 博士生导师, 现从事硅材料科学与技术的研究 收到,定稿 108 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 20 卷 2　实验方法与结果 ( ) ( ) 实验选用同一台单晶炉 860 拉制的三根不同的 3 英寸单晶 电阻率20～ 50 · , D