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半导体三极管图片 场效应管与晶体管的比较 * * * * 目录 电工电子技术 电工基础教学部 4.3 半导体三极管 4.3.1 三极管结构及其放大作用 B 基极 E 发射极 C 集电极 NPN型 PNP型 1.结构及类型 N N P 发射结 集电结 B E C IB IE IC T B E C IB IE IC T B 基极 E 发射极 C 集电极 P P N B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区： 掺杂浓度最低并且很薄 集电区： 掺杂浓度较低 发射区： 掺杂浓度最高 2.晶体管的电流分配关系和放大作用 ⑴晶体管的电流放大的条件 ①内部条件 三个区掺杂浓度不同，厚薄不同。 ②外部条件 发射结加上正向电压，集电结加上反向电压 N N P B E C + + － － B E C T + + － － UBE UBC 即：NPN型 或 P P N B E C － － + + B E C T － － + + UBE UBC PNP型为： 或 ⑵ 晶体管的电流分配关系 mA ?A mA IE T RB IB EC EB IC RC + － － + 共发射极放大实验电路 IB (μA) 0 20 40 60 80 100 IC (mA) 0.005 0.99 2.08 3.17 4.26 5.40 IE (mA) 0.005 1.01 2.12 3.23 4.34 5.50 晶体管电流测试数据 ②IC、IEIB ，IC与IB之比称为直流(静态)电流放大系数 ①由KCL得：IE=IC+IB 结论： ③ΔIC、ΔIEΔIB ， Δ IC与Δ IB之比称为 交流(动态)电流放大倍数 IC 电子在基区与空穴复合，形成电流IB ，复合机会小， IB小 IB IE 发射结正偏，发射区向基区发射(扩散)电子，形成发射极电流IE 3. 放大原理 B E N N P EB RB EC + － + - + - + 发射到基区电子被收集和复合的比例系数就是电流放大系数β 集电结反偏，扩散到基区的电子被收集(漂移)到集电区形成IC ，收集能力强， IC大 C 4.3. 2 特性曲线及主要参数 IC mA ?A V1 V2 UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 输入回路→输入特性 IB = f（UBE ）| UCE 输出回路→输出特性 IC = f（UCE ）| IB 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 令UCE=常数 IB=f（UBE） 1. 输入特性 工作压降： UBE?0.6~0.7V,硅管UBE?0.2~0.3V 锗管 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 0 2. 输出特性 1 2 3 4 IC(mA ) UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 ⑴ 放大区 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 0 ⑵截止区 ICEO IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE＜UBE,集电结正偏，IC不受IB影响，UCE ? 0,称为饱和区。 0 ⑶饱和区 UCES 3. 主要参数 前述电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大系数： ⑴电流放大系数 和 ? 共射交流电流放大系数： 常用的小功率晶体管，β值一般为20～200。 ①集-基极反向电流ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 ⑵ 两个极间电流 ?A ICBO 温度↑→少子↑ → ICBO ↑ ICBO越小越好 ②集-射极穿透电流ICEO ?A ICEO ICEO= (1+? ) ICBO，温度↑→ ICBO ↑ → ICEO ↑ ↑ →IC ↑ ICEO不受IB控制, IB=0时, IC= ICEO ;IB≠0时, IC= ?IB+ICEO,电流ICEO受温度变化的影响较大。 所以集电极电流应为：IC= ? IB+ICEO 当温度上升时，ICEO增加，IC也相应增加。所以三极管的温度特性较差。ICEO越小越好， ?不宜超过100 B E C N N