Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料制备和磁性的研究.pdfVIP

Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料制备和磁性的研究.pdf

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第57 卷 第7 期 2008 年7 物 理 学 报 Vol. 57,No. 7, July, 2008 10002 3290P2008P57(07)P45392 06 ACTA PHYSICA SINICA n 2008 Chin.Phys. Soc. Mn Zn O 1) 1)­ 1) 1) 2) 于 宙 李 祥 龙 雪 程兴旺 王晶云 1) 1) 1) 刘 颖 曹茂盛 王富耻 1) ( 北京理工大学材料科学与工程学院, 北京 100081) 2) ( 纳米器件物理与化学教育部重点实验室, 北京大学电子科学与工程系, 北京 100871) (2007年 10 20 日收到; 2007 年11 19 日收到修改稿) 采用共沉淀方法制备了名义组分为Zn Mn O( x = 01 001, 01 005, 01 007, 0101) 的Mn 掺杂的ZnO 基稀磁半导体 1- x x 材料, 并研究了在大气气氛下经过不同温度退火后样品的结构和磁性的变化. 结果表明:样品在600 e 的大气条件 下退火后, 仍为单一的六方纤锌矿结构的ZnO 颗粒材料; 当样品经过 800e 退火后, Mn 掺杂量为 01 007, 0101 的样 品中除了ZnO 纤锌矿结构外还观察到ZnMnO 第二相的存在. 磁性测量表明, 大气条件下600e 退火后的样品, 呈现 3 出室温铁磁性;而800 e 退火后的样品, 其室温铁磁性显著减弱, 并表现为明显的顺磁性. 结合对样品的光致发光谱 的分析, 认为合成样品的室温铁磁性是由于Mn 离子对ZnO 中的Zn 离子的替代形成的. : ZnO, 掺杂, 稀磁半导体, 铁磁性 PACC : 7550P, 7280E 半导体材料在空气中退火后为顺磁性, 而经H 气 2 [9] 11 引 言 氛退火后样品具有明显的铁磁性.Ueda 等 用PLD 法制备的Zn1- x TMx O (TM= Mn, C

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