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不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响 ＊ 郝建英,王英勇,童希立,靳国强,郭向云 （ １ 中国科学院山西煤炭化学研究所，煤转化国家重点实验室，太原０３０００１； ２ 中国科学院研究生院，北京１０００３９； ３ 太原科技大学材料与工程学院，太原０３００２４） 摘要 以淀粉和工业水玻璃为原料，经过碳热还原反应制备出碳化硅纳米线。采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、 氮吸附－脱附和荧光光谱仪（ＰＬ）对所制备的样品进行表征，同时考察了碳硅比（物质的 量比，下同）对碳化硅形貌、比表面积和荧光性能的影响。结果表明，当碳硅比为４．５时， 合成的碳化硅为直的纳米线，比表面积为４５ｍ２／ｇ，发光强度也达到最大。关键词碳化 硅 纳米线 碳热还原 水玻璃 荧光 中图分类号：Ｏ６１３．７ 引言 碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有一系列优异的性能，如良好的导热性、化学稳定性、 抗热震性、抗氧化性、耐高温、耐腐蚀、高的力学强度和硬度等，可广泛用于陶瓷、金属及 聚合物基复合材料的增强剂［１，２］，同时在高温、高频、大功率半导体器件以及光电子 领域中也具有重要的应用［３－５］。此外，碳化硅纳米材料还可在高温、高压、强腐蚀等 苛刻条件下使用，是催化反应中催化剂载体的潜在材料［６］。因此，开发低成本、可大规 模制备碳化硅纳米材料的技术十分重要。目前制备碳化硅纳米材料的主要方法有形状记忆合 成法［７］、模板法［８］、化学气相沉积法［９］、电弧放电法［１０］、激光烧蚀法［１１］、 溶胶－凝胶和碳热还原法［１２］。虽然这些方法都能制备出高纯、超细的碳化硅粉体，但 由于所用制备工艺复杂或原料价格昂贵、合成温度较高、生产效率低下，所以在进行大规模 工业化生产时受到了一定的限制。与其它方法相比，碳热还原法由于原料成本低廉，反应备 简单，合成温度相对较低，容易获得均匀、超细、高纯度和高活性的碳化硅纳米粉体，因此 是最有希望进行大规模生产的制备工艺。 水玻璃是一种常见的工业原料，与其它硅前驱体相比，价格更为低廉，来源也更丰富。此 外，工业水玻璃是溶液，与碳前驱体粉体混合后能紧密地包覆于前驱体粉体表面，使 Ｃ与 Ｓｉ有效地接触，从而降低碳化硅的制备温度，获得高质量的粉体。目前利用廉价的水玻璃 为原料合成碳化硅纳米材料的报道比较少。潘顺龙［１ ３］利用水玻璃和炭黑为原料，通过喷雾干燥工艺制备反应前驱体，利用碳热还原反应合成 超细碳化硅粉体，但合成的碳化硅的比表面积仅为１３．７ｍ２／ｇ。自Ｌｙｃｋｆｅｌｄ ｔ等［１４］以马铃薯淀粉及其改性产物作为粘结剂和造孔剂后，淀粉这一天然聚合物引起 了人们极大的关注。蔡国辉等［１５］以淀粉为碳源，正硅酸乙酯为硅源，镍盐为催化剂， 通过溶胶－凝胶法制备了碳化硅前驱体，在氩气气氛下进行碳热还原制备出多孔纳米碳化 硅，比表面积达到１２７．５ｍ２／ｇ。但以水玻璃和淀粉为原料制备碳化硅纳米粉体尚未 见报道。 本实验采用廉价的工业水玻璃为硅源，淀粉为碳源，通过碳热还原合成了碳化硅纳米粉体。 利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＢＥＴ和ＰＬ等测试手段对不同碳硅比合成的碳化硅进行了表征，同 时考察了不同碳硅比及反应条件对比表面积的影响 １ 实验 １．１ 碳化硅制备 称取１０ｇ淀粉（天津市光复精细化工研究所）与一定量的工业水玻璃（模数为３．３３， ＳｉＯ２的含量为２４．７３％，长治市城区新华化工厂）混合，边混合边搅拌，混合均匀 后静置一段时间，然后放入烘箱中１００℃干燥１２ｈ，得到不同碳硅比制备的反应前驱体。 将前驱体放入氧化铝管式高温炉中，在氩气的保护下升温至１３００℃，恒温６ｈ后在氩气 气氛的保护下，随炉冷却至室温。最后将反应后的样品取出，先在马弗炉中于７００℃灼烧 ３ｈ，除去未反应的碳，然后再用盐酸和氢氟酸浸泡２４ｈ，除去未反应的二氧化硅等杂质， 再经洗涤、过滤、干燥，最终得到浅绿色碳化硅样品。 １．２ 材料表征 采用 Ｘ′Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ多功能 Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）表征样品的相结构，Ｃｕ Ｋ α靶，靶电压４０ｋＶ，扫描速率为２（°）／ｍｉｎ，扫描步长为０．０２°。采用Ｓ－ ４８００型扫描电子显微镜（ＳＥＭ，测试电压为１０ｋＶ）表征碳化硅纳米材料的形貌。 采用 Ｍｉｃｒｏ－ｍｅｒｉｔｉｃｓ ２０００型自动物理吸附仪（Ｎ２吸附）测定样品 的比表面积。采用荧光光谱仪（日立 Ｆ－７０００）表征样品的荧光性能。 ２ 结果与讨论 ２．１ 前驱体的制备 碳化硅前驱体的形成实质上是水溶性硅酸钠与淀粉发生脱水反应，使产生的二氧化硅溶胶变 成二氧化硅凝胶的过程。硅酸在水中的溶解度很小，但水溶性硅酸钠中的ｎＳｉＯ２是硅酸 多分子的聚合体构成的胶态微粒。由于水合作用，胶