衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性影响.pdfVIP

蔡利霞等：衬底温度对低功率直流磁控溅射Zno薄膜特性的影响 衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性的影响。 蔡利霞1，马书懿1，李伟2，李锡森1，李 勇1 (1．西北师范大学物理与电子工程学院，甘肃兰州730070， 2．河南师范大学物理与信息工程学院，河南新乡453007) 摘要： 采用低功率直流反应磁控溅射法，在si衬 的薄膜附着性好、薄膜的成份在一定程度上可控等优 底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜，点，在ZnO薄膜的制备中受到人们的广泛关注。然 利用X射线衍射仪、荧光分光先度计研究了沉积温度 而，由于反应溅射过程中所涉及的控制参数较多，所以 对ZnO薄膜微观结构及先致发光特性的影响。结果 用该方法所制备ZnO薄膜的结构及光学特性强烈的 表明，合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质 依赖于制备条件，如衬底温度、沉积方法、工作气压，溅 量I在室温下测量样品的先致发光谱(PL)，观察到波射功率及衬底类型等【11’心]的影响。在众多工艺参数 长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及中，我们发现衬底温度对ZnO薄膜的生长行为起着至 527nm左右微弱的绿光峰，随衬底温度升高，样品的关重要的作用，并决定着ZnO薄膜的光学性能。 PL谱中蓝光强度都明显增大，低功率溅射对其蓝光发 为进一步较系统的研究制备条件对ZnO薄膜结 射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的构及光学性能的影响，本文采用直流反应磁控溅射方 法，首次采用38W的较低的溅射功率条件，在Si衬底 蓝光发射应与ZIli有关，485nm附近的蓝光发射是由 于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结 上成功的制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。 果，而527nm左右的较弱的绿先发射主要来源于导带研究了衬底温度对低功率条件下制备的ZnO薄膜结 底到氧错位缺陷能级的跃迁．生长温度主要是通过改 构及其光学特性的影响。 变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光 2实验 特性的。 关键词： ZnO薄膜；磁控溅射；X射线衍射；光致发光 中图分类号： TB383；0484．4文献标识码：A 控溅射设备上利用直流反应磁控溅射方法，在Si衬底 上制备得到的。采用纯度优于99．99％的金属Zn靶。 文章编号：1001—9731(2008)08—1279—04 1 引 言 酮、无水乙醇及去离子水中依次进行超声清洗10min． ZnO是一种自激活宽禁带半导体材料，具有六角 交替清洗3次。为了去除Si表面的氧化层，又在HF 纤锌矿晶体结构，室温下其直接带隙宽度为3．37eV，酸溶液中浸泡2min，清洗完毕用干燥N2气吹干后迅 激子束缚能高达60meV，具有抗紫外辐射作用。ZnO 作为新一代的宽禁带半导体材料，具有优异的光学、电 气氛下进行的，其纯度均为99．99％．本底真空度为 学及压电特性，在发光二极管、光探测器、光致荧光器 件、透明导电薄膜、气敏传感器、表面声波谐振器等诸 多领域都有着广泛的应用【l~3]。自从1997年Tang 等[‘]报道了ZnO薄膜的光抽运近紫外受激发射现象有样品制备过程中，溅射功率均控制在38W，样品沉 以后。ZnO再次成为当今半导体材料研究领域的热点。 积时间均为1．5h。 目前，人们主要致力于高质量ZnO薄膜的制备、 薄膜的结构分析采用X’PertPRO型X射线衍射 结构及其性能的研究，探索了多种薄膜合成技术的 ZnO薄膜制备工艺，如分子束外延(MBE)、化学气相 -薄膜的光学性能研究主要是通过光致荧光光谱、透射 沉积(CVD)、脉冲激光沉积(PLD)、反应磁控溅射法，光谱和吸收光谱完成的。薄膜的光致荧光光谱是用美 喷雾热解法、溶胶一凝胶法(sol—geI)等Hqo]．并研究了国Perkin 不同基片及过渡层对ZnO薄膜质量的影响，并取得了 一些有价值的成果。而反应磁控溅射法作