薄膜高密度互连技术及应用.docVIP

薄膜高密度互连技术及其应用 云振新 (国营970厂，四川成都 610051) 1 引言 现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化的要求不断提高且日益迫切。手机等便携式电子装置是体现这些要求的典型例子。现代电子装置的需求推动微电子集成技术迅速发展，系统芯片(SoC)、系统级封装(SIP)、多芯片组件(MCM)、高密度互连(HDI)等多种新技术不断涌现。 高密度互连结构可以采用不同的技术来实现。每一种技术都有其优点和缺点。但就高互连密度和最佳电气性能而言，一般认为多层薄膜技术是最佳选择。使用这一技术可使线宽和线距很容易达到20μm、甚至10μm的极小尺寸，而且仅需两层细线布线层就能实现密度非常高的互连结构。此外，薄膜高密度互连技术还能制造高质量的集成无源元件，包括电阻器、电容器、电感器和各种传输线。薄膜多层高密度互连结构不仅尺寸小、互连密度高，而且具有优异的高频性能。薄膜高密度互连技术是一种应用广泛的小型化集成技术，更是实现RF电路和微波电路低成本集成的一种优先解决方案。 2 概述[1]、[2] 高密度互连(HDI)基片被定义为比一般PCB具有更高单位面积连线密度的基片。同普通PCB相比，HDI基片的线宽和线距更加精细(75 μ m)、通孔小(150μm)、定位焊盘(Capture Pad)也小(400μm)、连接焊盘(Connection Pad)密度较大(20个焊盘·cm-2)。HDI基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。 HDI基片在日本称作积层板(build-up board)，在美国又被称作序列积层(SBU，Seauential build-up)板或微孔(Microuia)板。虽然有多种技术都可用来制造HDI基片，按照上述定义，从尺寸缩小角度来看，薄膜技术显然是获得高互连密度的最佳技术。MCM-D(淀积薄膜型多芯片组件)基片就是一种薄膜高密度互连基片。这种基片是制造MCM-D最重要的基础，直接决定着MCM-D的尺寸、封装密度和性能。众所周知，MCM-D是一种十分重要的高密度小型化封装技术。这从一个侧面充分反映了薄膜高密度互连技术在微电子集成方面的重要意义。 薄膜高密度互连技术是在薄膜制备、光刻等IC工艺技术基础上发展起来的。其主要特点是相继地沉积用做导体的金属薄膜和作介质隔离层的绝缘膜．薄膜高密度互连基片采用半导体加工的薄膜工艺、设备和方法进行制造，一种广泛使川的工艺是在硅或氧化铝圆片(也可用其他基片)上形成多层结构。先将聚酰亚胺涂覆在圆片上，逐步升高温度到425时固化。接着，用光刻作为掩膜或使用光刻出图案的金属或旋转涂覆玻璃(SOG)作为掩膜，等离子刻蚀通孔。然后，将金属(一般为铝或铜)溅射在整个表面上，同时覆盖通孔的壁上。之后，用光刻工艺刻蚀成所需的导体图案。通过重复上面的工艺，旋转涂覆另一层聚酰亚胺，固化、刻蚀通孔和进行金属化，直到产生所要求层数的信号层、接地层和电源层为止。除聚酰亚胺之外，还可采用其他介质作绝缘膜。图1是一种MCM-D用薄膜多层高密度互连基片的剖面示意图。 3 设计与工艺考虑 薄膜高密度互连基片在设计过程中要涉及许多技术参数和材料。通过对信号线、尺寸、噪声和响应条件进行恰当的选择与设置，可以实现不同的设计要求。用途不同，设计方案也就不一样。适合某些应用场合的基片材料、金属化结构和互连技术对其他应用场合就不完全适用。无论是需要电阻器网络、集成电阻器-电容器网络、多层元件、定制薄膜网络、还是需要特定形状的基片，都必须对不同的方案进行充分的比较、评价然后择优确定。这对设计工作无疑是十分重要的。 制定薄膜高密度互连基片的设计方案。通常包含下面几个主要的步骤：选择基片材料。确定导体金属材料。根据功率和单元尺寸要求来确定电阻器是设置在基片正面还是底面。如果从正面至底面的各层间需要电气连接，则必须考虑是用固体填充通孔还是用金属化通孔来实现这种连接。根据电容器、空气交叉、耦合器等其他元件的设置情况，设计另外一个布线层连接这些元件，用以完成高密度互连。3.1 基片 基片既是电气互连图案和制造膜电阻器的基底又是装配器件的机械支撑和器件散热的媒质。它必须满足一系列电气、物理、化学、热学、机械等多方面的性能要求。基片选择是电路设计中最重要的工作之一。基片材料多种多样，每种材料都有其独特的性能。基片选择时考虑的主要因素是终端应用要求。必须充分了解各种基片材料的特点和性能。只有这样才能选出最适合终端应用的基片材料。 薄膜高密度互连采用氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化铝陶瓷、硅、石英等多种材料作基片、氧化铝陶瓷基片广泛用于一般薄膜集成电路和微波中功率集成电路，要求基片的氧化铝含量大于99.6％(重量百分数)和表面光洁度0.025～0.15μm CLA(中心线平均值)。