掺杂对S_,n_O_,2_纳米粉体氢敏性能影响.pdfVIP

四川省电子学会传巷器技术专委会第十届学术年会会ii论文 新工艺与新材科 掺杂对Sn02纳米粉体氢敏性能的影响 彭同江樊亮孙红娟刘海峰 (西南科技大学矿物材料及应用研究所) 制备了掺杂S。02纳米粉体样品，并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结构、结晶性能等分 八面体电价平衡的非均一性，进而提高了粉体活性和半导体性能。在不同浓度H2中元件气敏性能测试表明，半 导体掺杂尤其是Ni2+掺杂有效提高了S。02的H2灵敏度。元件的灵敏度与H2浓度之间具有较好的线性关系。实 验得到了制备掺杂S。02气敏材料的最佳M√sn4+摩尔比。 【关键词】Sn02气敏掺杂均匀共沉淀法 刖菁 Sn02是目前研究最广泛的一种金属氧化物气敏材料，主要适用于微量低浓度还原性可燃气体的 检测。但在实际应用中，纯净sn02气敏材料的选择性较差、气体灵敏度不蒯卜引。很多研究已经发 现，通过对Sn02气敏材料添加一些低价金属离子、金属氧化物可实现对不同气体的高选择性、灵敏 J使用溶胶．凝胶浸 超细颗粒，TEM显示颗粒粒径为20nm，并体现出优异的气敏性能。S．Shukla等17 nm，经过掺杂In203和Pt， 涂技术制备出厚度为100--150nm的Sn02薄膜，其构成颗粒粒径为6~8 可在常温条件下检测出体积分数为100～40000x10’6的H2。另外，如果被测气体与掺杂金属氧化物 有某一特定反应时，传感器的选择性无疑将会有极大的提高，这一方面在CuO-Sn02气敏传感器上 有很好的体现【引。 研究了材料的结构、结晶性能、活性、半导体性能及氢敏性能，揭示了掺杂Sn02纳米粒子气敏机理。 l实验部分 1．1原料与设备 实验设备有：78．1型磁力加热搅拌器、SX．4．10型全纤维快速升温电阻炉、静态气敏测试装置等。 1．2掺杂Sn02气敏元件的制备 1．2．1掺杂Sn02纳米粒子的制备 采用液相均匀共沉淀法制备掺杂Sn02纳米粒子的过程主要有两个步骤：即水解反应过程和热处 理过程。在水解过程中，用酸式滴定管将配比好的阳离子混合溶液以适当速度滴入蒸馏水底液(PVA 到系列掺杂Sn02纳米粒子。 114 四川喜lf擘盒#尊嚣技*{垂砉*十瞄学术《女皇议】e童 新【￡与新材¨ 1．2．2气敏元件的制作 陶2为本实验所如梳状电极与气敏元件结构示意幽。制作步蜾为：将云母剁层并蜉成8ram*8mm F干燥约2h：捌松节 坍格柏】_【=方移簦片．陶10％稀盐酸、蒸馏水希I己醇依改漫泡、湾洗，井在50C 油稀秆银浆后．将银浆溶于基片上，1501|C 片进行二次涂银、干燥、烧结：刻蚀电路：制作粉体的PVA浆体．将纳米粒_F浆体弥丁带肓梳状银 l-燥10min．650cF烧结2h。 电极的云母基片上．70℃F 厂—高■]陌磊_习 ‘ l 匾五巫习一臣困。四一固一固[五 围1 接杂sno：纳米粒子的耕备工艺流程 一 碡垮腰 土r 气敏元件匾 敏感腰 电据 点曼骂 基片 I}U动风扇2注射器3 m载电【丑R。 4 1=作电蜓5加热也压6负牧电阻电fE输