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第 20 卷第 10 期 半 导 体 学 报 . 20, . 10
V o l N o
1999 年 10 月 . , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct
( ) ( ) (001) 的光学性质
超晶格 GaA s n InA s 1
李开航 黄美纯 张志鹏 朱梓忠
( 厦门大学物理系 厦门 361005)
( ) ( ) ( )
摘要 采用 能带方法对应变超晶格
L inearized M uffin T in O rbital LM TO GaA s n InA s 1
(001) 进行自洽计算. 在得到较准确能带结构和本征波函数的基础上, 计算该超晶格的光学介电
函数虚部 2 () 、折射率和吸收系数. 结果表明, 该超晶格表现出的光学性质和 GaA s 体材料不
相同, 在 15～ 2 5eV 能量范围的吸收系数增大, 且该超晶格在较宽的能量范围内有较好的光谱
响应.
PACC: 7865, 7360, 7125T
1 引言
( ) ( )
近年来人们对嵌入 InA s 单分子层的超晶格 GaA s n InA s 1 的研究兴趣日趋浓厚, 并
且随着各种外延生长技术的不断发展, 生长具有突变界面的高质量超晶格 ( GaA s) n
( ) ( ) [ 1～ 3 ]
InA s 1 001 成为可能 . 嵌入的 InA s 单分子层能够有效地限制量子阱中电子和空穴的
运动. 从实验上能够观察到 2K 温度下超晶格产生很强且尖锐的光致发光(PL ) 谱峰, PL 谱
[ 1～ 3 ]
峰能量位置比 体材料低 40 , 并且谱峰的强度比 体材料的谱峰强度高 .
GaA s m eV GaA s
( ) ( ) ( )
超晶格 GaA s n InA s 1 001 属于 型异质结系统, 有利于其在高速和光电器件中的开发
应用. 因此从理论和实验上探索该超晶格的各种物理特性具有实际意义, 特别是了解和掌握
半导体材料的折射率和吸收系数对于设计和分析异质结量子阱激光器及光波导器件来说是
[ 4 ] ( )
十分重要的.
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