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维普资讯
真 空 科 学 与 技 术 学 报 第28卷 第 1期
72 C如 ESEJOUl AL0FVACIl『I『SCIENCEAND 珊IC卸 IJClG_Y 2008年 1、2月
纳米TiO2薄膜的制备与表面形貌研究
孟凡明, 周明飞 蔡 琪 孙兆奇 ,
(1.安徽大学物理与材料科学学院 合肥 230039;
2.光电信息获取与控制教育部重点实验室(安徽大学) 合肥 230039)
GrowthandSurfaceMorphologyofNano-TiO2Films
MengFanming’ ,ZhouMingfei,CaiQi,SunZhao~ ’
(1.SchoolofPhysicsandMaterialsScience,AnhuiUniversity,Hefei230039,Chn/a;2.嘶 IztboratoryofOpto-electronic
蜘 聊 nAcquisitionandMarapulation,(AnhuiUniverstiy),MinistryofEducation,Hefei230039,Ch/na)
Abstract SurfacemorphologyofTi02films,grownbyRFmagnetronsputteringonSisubstrateandannealedatdif-
ferenttemperatures,werecharacterizedwithX—raydiffraction(XRD),atomicforcemicroscopy(AFM)nadX-rayphoto—
electronspectroscopy(XPS).Theresultsshowthattheannealingtemperaturesignificnatlyaffectsitsmicrostructures.For
instnace,annealde below400℃ ,thefilm isamorphous;however,atannealingtemperaturesof400℃ or600℃ ,anatase
nadfutilecome~intobeing,respectively.Atna annealingtemperature higherthna 1000℃,anatasephaseturnsintorutile
phasecompletely.Asannealingtemperaturerisesupfrom400℃ to1000℃ ,htegrainsizegrowsnadhtesurfacerough—
elIS,butturningaroundat1000℃ abruptly,possiblybecauseofhtephasetransition.
Keywords Ti02htinfilms,Magnetronsputtering,Anneal,Anatase,Rutile
摘要 研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成及形貌的影响。采用射频磁控溅射法在单晶硅片上淀积TiO2薄膜,通过
x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(ARM)和x光电子能谱 (Ⅺ,S)对其进行表征。结果表明,室温制备400oC以下退火的TiO2薄膜
为无定形结构,400oC以上退火的TiO2薄膜出现锐钛矿相,600oC以上退火的Tio2薄膜开始出现金红石相,退火温度在 1000oC以
上时样品已经完全转变为金红石相;随着退火温度的升高,晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大,但是当退火温度为 1000~C时反而有
所减小,晶粒尺寸和表面粗糙度在退火温度为 1000 时发生的这一突变现象,是由该退火温度下的相变导致。
关键词 Ti02薄膜 磁控溅射 退火 锐钛矿 金红石
中图分类号:0484.1 文献标识码:A 文章编号:1672.7126(20o8)O1.072.06
Ti02材料能有效催化降解空气和水中的有机和 其光催化效率[93。本文采用射频磁控溅射法在单
无机污染物,在废水处理、空气净
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