数电课件 ch07-1存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列.pptVIP

复习 小结 ROM可读、可写；存储容量大；数据具有非易失性 * 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 *7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 存储器的主要性能特性 存取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 存储器 RAM Random-Access Memory ROM Read-Only Memory RAM 随机存取存储器 : 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM 只读存储器 ：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM Static RAM ：静态RAM DRAM Dynamic RAM ：动态RAM Flash Memory 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 Read-Only Memory 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 几个基本概念： 存储容量（M ：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：一组存储单元 多位二进制码 称为一个字， 字的位数称为字长。 存储容量（M ＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数 2n （n为存储器外部地址线的线数） ROM的分类1 按存贮单元中器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 1）ROM（二极管ROM）结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M 4?4 地址译码器 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE 1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE 0时 字线 存储 矩阵 位线 字线与位线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 7.1.2 两维译码 该存储器的容量 ? 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM:带金属熔丝二极管构成 EPROM:叠栅SIMOS构成 E2PROM:浮栅Flotox MOS构成 改写就是电擦除 ROM的分类2 Flash Memory:快闪叠栅MOS管构成,擦出和写入分开. 7.1.3 可编程ROM（256X1位EPROM） 256个存储单元排成16?16的矩阵 行译码器从16行中选出要读的一行 列译码器再从选中的一行存储单元中选出要读的一列的一个存储单元。 如选中的存储单元的MOS管的浮栅注入了电荷，该管截止，读得1；相反读得0 7.1.4 集成电路ROM AT27C010， 128K′8位ROM 数据输出 VPP Ai 1 0 0 编程校验 数据输入 VPP Ai 0 1 0 快速编程 高阻 X Ai X X 1 等待 高阻 X X X 1 X 输出无效 数据输出 X Ai X 0 0 读 D7 ~ D0 VPP A16 ~ A0 工作模式 1、ROM的定义，功能，结构，种类。 2、基本概念：字、字长、容量、地址位数 3、典型芯片OTP AT27C010 128K*8位 7.1.5 ROM的读操作与时序图 （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； （1） 用于存储固定的专用程序 （2） 实现组合逻辑函数 把要实现的逻辑函数真值表列出，输入看成地址，输出作为