重温Pb（ZrxTi（1-x））O3铁电薄膜极化疲劳问题.pdfVIP

维普资讯 前沿进展 重温 Pb(ZrxTi。一)O3铁 电薄膜极化疲劳问题木 刘俊明 王 阳 (1 南京大学物理系 固体微结构物理国家实验室 南京 210093) (2 中国科学院国际材料物理研究中心 沈阳 110016) 摘 要 具有ABO，型钙钛矿结构的Pb(ZLTi。一)O，(PZT)展示出良好的铁电极化性能，是使用最广的铁电材料． 然而，在将它应用于铁电存储时，PzT薄膜遭遇到极化疲劳问题而被 SrBiT％0 (SBT)等铁电体所替代，这一问题至 今未能得到妥善解决．文章首先通过变温极化疲劳实验充分理解 PZT极化疲劳的基本过程 ，然后有针对性地进行材 料设计 ，获得基本无极化疲劳的PZT铁电薄膜． 关键词 PZT铁电薄膜，极化疲劳 ，缺陷，长程迁移 PolarizationfatigueofferroelectricPb(ZrxTi1一 )0 thinfilmsrevisited LIUJun．Ming，，十 WANG Yang ， (1 DepartmentofPhysicsandLaboratoryofSolidStateMcirostructures，Na ngUnive~ky，Na面ng 210093，China) (2 InternationalCenterforMaterialsPhyscis，ChineseAcademyofSciences，Shenyang 110016，China) Abstract PerovskitePb(ZrxTi1)O3(PZT)representsoneofthemostextensivelyutilizedferroelectrics，in spiteofitsleadcontamination．However，itsapplicationinferroelectricrandomaccessmemories(FeRAMs)has beenhinderedduetoseriouspolarizationfatigueuponrepeateddomain switching，SOthatithas eventuallybeen replacedbylayeredperovskiteferroelectricSr2BiTa509(SBT)，amongothers．Sincepolarizationfatiugeremains anunsolvedphysical issueweaddressthisproblem byacomprehensiveapproachinwhichtheassociatedmecha- nismsareinvestigatedbyfatiugetestingatdifferenttemperatures，amplitudesnadfrequenciesoftheelectricfield． Asaresult．wehavedevelopedanovelstrategybywhichthefatiugeofPZTthinfilmsdepositedonPt-coatedSi wafers canbeessentiallysuppressed． Keywords PZTthinfilms，polarizationfatiuge，chrageddefects，long-rangemigration 两个：一是 PZT薄膜极化疲劳行为严重，相关基础 引言 研究始终未能解决这一问题 ；二是 PZT体系含 铅，因而以环境污染之名正在被逐步淘汰． 铁 电薄膜作为非挥发存储记录介质 (Fe． 这