用MOCVD法生长GaN基自组装詈里子丁思占的相关实验及其分析.pdfVIP

维普资讯 第34卷 第 l2期 稀有金属材料与工程 Vo1．34，No．12 2005证 12月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING December2005 里詈 子丁 思占 用MOCVD法生长 GaN基 自组装-_0■_一 - ● ● ● ● 的相关实验及其分析 孟 焘 ，一，朱贤方 ，王 占国2 (1．厦 门大学，福建 厦 门 361005) (2．中科院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083) 摘 要：GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研 究的一个热点，尤其是用 MOCVD方法生长 GaN基 自组装量子 点 占了相 当的比例 ，因此相关的文献较多 ，但综述性文章却不多见。鉴于此 ，本文综述了用 MOCVD法制备GaN基量 子点的不同实验方法，并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供 一 些参考 。 关键词：GaN基量子点； 自组装；s—K模式；MOCVD 中图法分类号：TN304．23 文献标识码 ：A 文章编号：l002—185X(2005)12-l849—05 制表面能和应力大小而形成量子点的方法 占了相当的 1 引 言 比例 。 众所周知 ，目前半导体量子点的 白组装生长主要 鉴于金属有机气相沉积fMOCVD)是 目前生长 通过 S—K (Stranski—Krastanov)模式实现 [卜。这种方 GaN 基 白组装量子点的主要方法，所 以本文只介绍 式一般发生在二维生长后膜 内出现应力的场合，其生 MOCVD方法 。 长过程大体可 以分为 以下三个步骤：(a)在量子点形 2 实验方法及其分析 成的初期阶段的二维层状生长 。此时由于生长材料的 晶格应变能较小，因此将形成具有最小表面 自由能的 S—K模式生长的GaN基量子点在不 同实验条件和 二维平坦表面 。(b)此后外延层厚度将逐渐增加，直 参数下会表现出不同的生长特性。其 中材料的表面能 到某一临界厚度仍然保持表面较为平整 。这时虽然晶 大小，材料间的晶格失配 ，环境温度和生长时间等参 格应变能在不断增加，但包含表面 自由能在 内的整个 数都会在很大程度上决定生成 的量子 点的尺寸和密 体系的能量在平坦表面上应是最小的。(C)当膜层厚 度。下面就不 同的实验条件和参数结合具体实验进行 度超过某一临界尺寸，即完成所谓的一个浸润层的生 分析。 长之后，部分表面将 出现 岛状生长。此时岛状结构中 2．1 使用反表面活性剂的生长方法 的晶格应变能开始减少，同时整个体系的能量降低 。 在外延材料和衬底材料晶格常数相差很小的情况 而在实际的生长过程中，包括表面能和应力的大 下 (这时两种材料间的应力很小)，如果衬底的表面能 小往往也可 以通过人为的方式 (比如加入反表面活性 远大于外延材料的表面能，那么外延层将 以二维的层 剂 或采用温度控制 等)进行控制和调节，以适应 状方式生长，这主要是 由于材料间应变能较小而难于 不同材料生长的需要。但只要是 由应力 (应变能)的 使其转向三维岛状生