PECVD 法制备氮化硅薄膜探讨(定稿).pdfVIP

毕业设计（论文） （ 2012 届 ） 题 目 PECVD 法制备氮化硅薄膜的探讨 学 号 0903025033 姓 名 邓鹏飞 所 属 院 新能源科学与工程学院 专 业 光伏材料加工与应用技术 班 级 09 光伏材料加工与应用技术（5 ）班 指导教师 肖宗湖 新余学院教务处制 PECVD 法制备氮化硅薄膜的探讨 摘 要 光照射到平面的硅片上，其中一部分被反射，制绒后的硅片表面由于入射光 产生了多次反射而增加了吸收，但也有约 11％的光反射损失。在其上镀上一层 减反射膜，可大大降低光的反射。PECVD 技术原理是利用低温等离子体作为能 量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定温 度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子反应，在样品表 面形成一层固态薄膜。PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体 中含有大量的高能电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能。电子 与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性 很高的各种化学基团。因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使原来的需要 在高温下才能进行的 CVD 得以在低温下实现。 本文主要介绍 PECVD 镀膜工艺基本原理及工艺流程，并结合个人工作期间 遇到的来料、镀膜的控制、人为不当操作等问题。 关键词：PECVD ；多晶硅；太阳能电池 1 Investigation on Preparation of Silicon Nitride Thin Films by PECVD Abstract Light irradiation to the planar silicon, which was part of the reflection, cashmere system after the wafer surface due to the incident light to generate multiple reflection and absorption increase, but also has about 11% of the light reflection loss.In the plating layer of antireflection coating, can greatly reduce the reflection of light.PECVD technology is the use of low temperature plasma as an energy source, the sample is placed in a low pressure glow discharge cathode glow discharge, use so that the sample temperature to a predetermined temperature, and a proper amount of reaction gas, the gas through a series of chemical reactions and the plasma reaction, in the sample surface to form a layer of thin solid films.The PECVD method is different from other