变化电磁场之圆板电容器位移电流和磁感应强度.pptVIP

如上图所示，半径为a，距离为d的圆板平行电容器置于真空中。(1)在给电容器充电时，两板间的场强对时间的变化率dE/dt是一个常数，求板内外位移电流和磁感应强度(不计边缘效应)。 (2)用电阻为R的极细的导线沿轴线连接两板，并通有交变电压U = U0cosωt，求板内外磁感应强度。磁感应强度的振幅由什么因素决定？ [解析](1)由于极板间的电场具有轴对称性，磁场也具有轴对称性。位移电流密度的大小为 其方向向右，也就是电场强度增加的方向。 如下图所示，在两板之内取一半径为r1的圆面S1，其法线方向与电场强度增加的方向相同(垂直纸面向外)，则位移电流为 即 {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 d a E a r1 S1 L1 (r1 a) 当r1→ a时，可得边缘处的位移电流 如上图所示，半径为a，距离为d的圆板平行电容器置于真空中。(1)在给电容器充电时，两板间的场强对时间的变化率dE/dt是一个常数，求板内外位移电流和磁感应强度(不计边缘效应)。 在两板之外取一半径为r2的圆面S2，其法线方向与电场强度增加的方向相同。 由于电场只集中在两板之间，所以位移电流为 即 {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 d a E a r2 S2 L2 可知：两板之外的位移电流是常量，并且板内外位移电流连续。 (r1 a) (r2 a) 如上图所示，半径为a，距离为d的圆板平行电容器置于真空中。(1)在给电容器充电时，两板间的场强对时间的变化率dE/dt是一个常数，求板内外位移电流和磁感应强度(不计边缘效应)。 面积S1的边缘是闭合回路L1，方向沿逆时针方向，根据全电流定律 由于传导电流I = 0，可得磁场强度的关系H2πr1 = ID， 磁感应强度为 {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 d a E a r2 S2 L2 面积S2的边缘是闭合回路L2，方向也沿逆时针方向，根据全电流定律可得 (r1 a) (r2 a) (r1 a) (r2 a) 在板内，位移电流按距离平方的规律增加；在板外，位移电流是常量。 在板内，磁感应强度随距离成正比增加；在板外，磁感应强度随距离成反比减小。 (2)用电阻为R的极细的导线沿轴线连接两板，并通有交变电压U = U0cosωt，求板内外磁感应强度。磁感应强度的振幅由什么因素决定？ [解析](2)两板间连接导线后，传导电流为 板间场强为 两板间的位移电流 {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 (r1 a) 板内外的磁感应强度 (r2 a) (r1 a) (r2 a) U0/R是传导电流的振幅，U0ε0πr12ω/d是板内位移电流的振幅，U0ε0πa2ω/d是板外位移电流的振幅。 交变电压的圆频率越大，板内外位移电流的振幅就越大。 (2)用电阻为R的极细的导线沿轴线连接两板，并通有交变电压U = U0cosωt，求板内外磁感应强度。磁感应强度的振幅由什么因素决定？ 磁感应强度可表示为B = B0cos(ωt + φ)， 其振幅为 {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 (r1 a) 其中， Rε0πa2ω/d是板边缘的位移电流振幅与传导电流的振幅的比值，用k表示，可得 (r2 a) (r1 a) (r2 a) 在板外，振幅随距离增加而减小。 (r1 a) (r2 a) (2)用电阻为R的极细的导线沿轴线连接两板，并通有交变电压U = U0cosωt，求板内外磁感应强度。磁感应强度的振幅由什么因素决定？ {范例12.7} 圆板电容器的位移电流和磁感应强度 令dy/dx = 0，可得 (r1 a) (r2 a) 在板内，设x = r12，再取 当k 1时，板内存在最小的磁感应强度振幅，其值为 磁感应强度的初相位为 (r1 a) (r2 a) B = B0cos(ωt + φ) 在板内，磁感应强度的初相位与半径有关；在板外，磁感应强度的初相位与半径无关。 当位移电流的振幅比较小时(与传导电流振幅的比值取0.5)，板内外磁感应强度的振幅随距离的增加而减小。 与交变电压的相位相比，板内的磁感应强度的初相位随距离增加而更加超前，板外的初位相虽然超前，但与距离无关。 当位移电流的振幅比较大时(与传导电流振幅的比值取5)，板内外磁感应强度的振幅随距离的增加先减小后增加。 与交变电压的相位相比，板内外的磁感应强度的初相位超前得更多。