Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质影响.pdfVIP

Ti 离子注入和退火对ZnS 薄膜结构和光学性质 的影响1 1 2 1 1 1 3 1φ 苏海桥 ，薛书文 ，陈猛 ，李志杰 ，袁兆林 ，付玉军 ，祖小涛 1 电子科技大学应用物理系，成都（610054 ） 2 湛江师范学院物理系，湛江（524048 ） 3 兰州大学物理科学与技术学院，兰州（730000 ） E-mail: xiaotaozu@ ; xtzu@ 摘 要：利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了 ZnS 薄膜，将能量 80keV ，剂量 17 2 1×10 ions/cm 的Ti 离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS 薄膜进行退火处理，退火温度从 500 到700℃。利用X 射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化，利用光致发光(PL)和光吸收 研究了薄膜光学性质的变化。XRD 结果显示，衍射峰在 500℃退火 1 小时后有一定程度的 恢复；光吸收结果显示，离子注入后光吸收增强，随着退火温度的上升，光吸收逐渐降低， 吸收边随着退火温度的提高发生蓝移；光致发光显示，薄膜发光强度随退火温度的上升而增 强。 关键词：ZnS 薄膜；离子注入；XRD；光致发光 PACC: 6180J, 7155G 1．引言 ZnS 是一种重要的 II-VI 族宽禁带半导体材料（禁带宽度约 3.65eV ），广泛应用于光电器 件中，如蓝光发射二极管，薄膜电致发光设备，太阳能电池窗口材料[1–4] 。制备高质量 ZnS [5] [6] [7] [8] 薄膜的方法有很多，包括溅射法 ，分子束外延 ，激光脉冲沉积 ，化学气相沉淀 ，化 学浴沉淀 [9] ，真空蒸发法 [10–12]等。 蒸发法的特点是所制得纳米薄膜表面清洁，成膜粒子的粒径可通过加热温度、压力等参 数来调控。而且制作方便，对仪器要求不苛刻，成膜速度快。 掺杂可以改变材料的物理化学性质，可以扩展其应用范围。离子注入是半导体掺杂的主 要方式，在半导体工业中应用极为广泛。它的优点是可以进行选区掺杂，不受掺杂物固溶度 的影响，并能精确控制掺杂物的浓度。理论上，每一种元素都可以利用离子注入技术进行掺 杂，因此，它是一种十分灵活和便利的掺杂技术。然而，离子注入过程中会产生大量缺陷， 这些缺陷对材料的物理和化学性能可能造成很大的负面影响，这些负面影响一般可以通过后 期的退火处理来消除。在这方面已经有一些相关的报道，通过离子注入的方法来改良半导体 [13−17] 和绝缘体材料的光电性能 。 目前，利用离子注入技术对ZnS 薄膜进行掺杂的研究还不多见，注 Ti 的研究就更少。 ZnS 的光学和电学性质与掺杂元素的种类密切相关。通过注 Ti 有望改变 ZnS 的光学和电学 性质，因此具有重要的研究意义。 本文中，我们利用蒸发冷凝法制备了 ZnS 薄膜，将高剂量 Ti 离子注入到薄膜中，研究 了Ti 注入和热处理对薄膜结构和光学性质的影响。 1本课题得到教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0899)资助课题的资助。 - 1 - 2. 实验 2.1 ZnS薄膜的制备和 Ti 离子注入 本实验利用ＤＭ－３００型镀膜机（北京仪器厂）在石英玻璃（1×1cm）衬底上蒸镀ZnS 膜。蒸镀 ZnS 膜之前，采用严格的化学清洗技术：首先在丙酮中超声波震荡 10min 以去除 衬底上的油脂，然后以去离子水冲洗 5min；接着在乙醇中超声波震荡 10min 以去除有机物， 同